1 產(chǎn)品概述：

      快速退火爐,，又稱RTP（Rapid Thermal Processing）快速熱處理爐，是一種用于快速熱處理,、熱氧化處理,、高溫退火等工藝的設(shè)備。它利用鹵素紅外燈等高效熱源,，通過極快的升溫速率（可達150攝氏度/秒）和精確的溫控系統(tǒng),，將晶圓或材料快速加熱到所需溫度（最高可達1200攝氏度），并在短時間內(nèi)完成退火過程,，從而消除材料內(nèi)部缺陷,，改善產(chǎn)品性能。快速退火爐廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體,、LED,、MEMS、化合物半導(dǎo)體和功率器件等多種芯片產(chǎn)品的生產(chǎn)中,，是現(xiàn)代微電子制造領(lǐng)域重要設(shè)備,。

2 設(shè)備用途：

1、快速熱處理（RTP）：用于對晶圓或材料進行快速加熱和冷卻處理,，以改善晶體結(jié)構(gòu)和光電性能,。

2,、快速退火（RTA）：通過快速升溫和降溫過程，消除材料內(nèi)部的應(yīng)力,、缺陷和雜質(zhì),，提高材料的性能。

3 ,、熱氧化處理（RTO）：在特定氣氛下對材料進行加熱處理,，形成所需的氧化物層。

4,、離子注入/接觸退火：在離子注入后對材料進行退火處理,，以激活注入的離子并改善材料的電學(xué)性能。

5,、 金屬合金化：如SiAu,、SiAl、SiMo等合金的制備過程中,，通過快速退火促進合金化反應(yīng),。

6、 化合物合金制備：如砷化鎵,、氮化物等化合物的合金制備過程中,，快速退火爐也發(fā)揮著重要作用生。同時,，加熱還可以促進化學(xué)反應(yīng)的進行,，提高處理效果。

3. 設(shè)備特點

  1 高效加熱與快速升降溫：采用鹵素紅外燈等高效熱源,，升溫速率快,，最高可達150攝氏度/秒；降溫速率也快,，如從1000攝氏度降到300攝氏度僅需幾分鐘,。

  2 高精度溫控系統(tǒng)：采用優(yōu)良的微電腦控制系統(tǒng)和PID閉環(huán)控制溫度，控溫精度可達±0.5攝氏度,，溫控均勻性≤0.5%設(shè)定溫度,。

  3 多功能性與靈活性：可根據(jù)用戶工藝需求配置真空腔體、多路氣體等,，滿足不同工藝條件的需求。

  4 低污染與環(huán)保：試樣反應(yīng)區(qū)處在一個密閉的石英腔體內(nèi),，大大降低了間接污染試樣的可能性,；同時，設(shè)備在設(shè)計和制造過程中注重環(huán)保理念,，減少了對環(huán)境的污染,。

  5 操作簡便與自動化：配備可視化觸摸屏和智能控制系統(tǒng),，設(shè)定數(shù)據(jù)和操作都是圖文界面，操作方便,；同時,，可實現(xiàn)單臺或多臺電爐的遠(yuǎn)程控制、實時追蹤,、歷史記錄,、輸出報表等功能。

4  設(shè)備參數(shù)：

• 適用于大 100 毫米（4 英寸）的單晶圓

• 由石英玻璃制成的工藝室

• 帶集成氣體入口和出口

• 包括一條帶氮氣質(zhì)量流量控制器的過程氣體管路（5 nlm = 標(biāo)準(zhǔn)升/分鐘）

• h由 18 個紅外燈 （20 kW） 提供

• 頂部和底部加熱

• 外部泵系統(tǒng)的真空度（高 10E-6      hPa,，高 10E-3 hPa：參見 RTP-100）,，
       包括渦輪分子泵、真空測量,、閘閥和壓力表;不包括粗泵

• SPS 過程控制器,，帶 50 個程序，每個程序多 50 個步驟（以太網(wǎng)接口）,，SIMATIC

• 7 英寸觸摸屏,，便于編程和過程控制

• 高氣溫 1200 °C

• 通過熱電偶進行溫度控制

• 需要水冷

• 電氣連接類型：32 A CEE 插頭（3x 230 V，3 相,，N,，PE，18 kW）

• 烤箱尺寸：504 x 521 x      576 毫米（寬 x 深 x 高）

• 重量： 68 kg