1 產(chǎn)品概述：

      快速退火爐，又稱RTP（Rapid Thermal Processing）快速熱處理爐,，是一種用于快速熱處理,、熱氧化處理、高溫退火等工藝的設備,。它利用鹵素紅外燈等高效熱源,，通過極快的升溫速率（可達150攝氏度/秒）和精確的溫控系統(tǒng)，將晶圓或材料快速加熱到所需溫度（最高可達1200攝氏度）,，并在短時間內(nèi)完成退火過程,，從而消除材料內(nèi)部缺陷,，改善產(chǎn)品性能。快速退火爐廣泛應用于半導體,、LED,、MEMS、化合物半導體和功率器件等多種芯片產(chǎn)品的生產(chǎn)中,，是現(xiàn)代微電子制造領域重要設備,。

2 設備用途：

1、快速熱處理（RTP）：用于對晶圓或材料進行快速加熱和冷卻處理,，以改善晶體結(jié)構(gòu)和光電性能,。

2、快速退火（RTA）：通過快速升溫和降溫過程,，消除材料內(nèi)部的應力,、缺陷和雜質(zhì)，提高材料的性能,。

3 ,、熱氧化處理（RTO）：在特定氣氛下對材料進行加熱處理，形成所需的氧化物層,。

4,、離子注入/接觸退火：在離子注入后對材料進行退火處理，以激活注入的離子并改善材料的電學性能,。

5,、 金屬合金化：如SiAu、SiAl,、SiMo等合金的制備過程中,，通過快速退火促進合金化反應。

6,、 化合物合金制備：如砷化鎵、氮化物等化合物的合金制備過程中,，快速退火爐也發(fā)揮著重要作用生,。同時，加熱還可以促進化學反應的進行,，提高處理效果,。

3. 設備特點

  1 高效加熱與快速升降溫：采用鹵素紅外燈等高效熱源，升溫速率快,，最高可達150攝氏度/秒,；降溫速率也快，如從1000攝氏度降到300攝氏度僅需幾分鐘,。

  2 高精度溫控系統(tǒng)：采用優(yōu)良的微電腦控制系統(tǒng)和PID閉環(huán)控制溫度,，控溫精度可達±0.5攝氏度,，溫控均勻性≤0.5%設定溫度。

  3 多功能性與靈活性：可根據(jù)用戶工藝需求配置真空腔體,、多路氣體等,，滿足不同工藝條件的需求。

  4 低污染與環(huán)保：試樣反應區(qū)處在一個密閉的石英腔體內(nèi),，大大降低了間接污染試樣的可能性,；同時，設備在設計和制造過程中注重環(huán)保理念,，減少了對環(huán)境的污染,。

  5 操作簡便與自動化：配備可視化觸摸屏和智能控制系統(tǒng)，設定數(shù)據(jù)和操作都是圖文界面,，操作方便,；同時，可實現(xiàn)單臺或多臺電爐的遠程控制,、實時追蹤,、歷史記錄、輸出報表等功能,。

4  設備參數(shù)：

• 適用于大 100 毫米（4 英寸）的單晶圓

• 由石英玻璃制成的工藝室

• 帶集成氣體入口和出口

• 包括一條帶氮氣質(zhì)量流量控制器的過程氣體管路（5 nlm = 標準升/分鐘）

• h由頂部和底部紅外加熱,，每個加熱帶 9 個燈和 14 kW

• 頂部和底部加熱

• 外部泵系統(tǒng)的真空度高達 10E-3      hPa

• SPS 過程控制器，帶 50 個程序,，每個程序多 50 個步驟（以太網(wǎng)接口）,，SIMATIC

• 7 英寸觸摸屏，便于編程和過程控制

• 高氣溫 1200 °C

• 通過熱電偶進行溫度控制

• 需要水冷

• 電氣連接類型：2 x 32 A CEE      插頭（3x 230 V,，3 相,，N，PE,，18 kW）

• 烤箱尺寸：504 x 521 x      576 毫米（寬 x 深 x 高）

• 重量： 60 kg