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非接觸式無(wú)損方塊電阻測(cè)試儀,、晶圓方阻測(cè)試儀,，方阻測(cè)試儀，硅片電阻率測(cè)試儀,，渦流法高低電阻率分析儀,，晶錠電阻率分析儀，渦流法電阻率探頭和PN探頭測(cè)試儀,，遷移率（霍爾）測(cè)試儀,，少子壽命測(cè)試儀，晶圓,、硅片厚度測(cè)試儀,，表面光電壓儀JPV\SPV。為碳化硅,、硅片,、氮化鎵,、氧化鎵、襯底和外延廠(chǎng)商提供測(cè)試和解決方案,。

憑借優(yōu)良的技術(shù)和豐富的產(chǎn)品線(xiàn),，已發(fā)展成為中國(guó)大陸少數(shù)具有一定國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力的半導(dǎo)體專(zhuān)用設(shè)備提供商，產(chǎn)品得到眾多國(guó)內(nèi)外主流半導(dǎo)體廠(chǎng)商的認(rèn)可,，并取得良好的市場(chǎng)口碑,。

主要應(yīng)用領(lǐng)域：碳化硅測(cè)試、氮化鎵測(cè)試,、晶圓硅片測(cè)試,、氧化鎵測(cè)試、襯底和外延廠(chǎng)商,、光伏電池片測(cè)試,。

少子壽命測(cè)試采用了測(cè)量和分析技術(shù)，包括準(zhǔn)穩(wěn)定態(tài)光電導(dǎo)(QSSPC)測(cè)量方法,。可靈敏地反映單,、多晶硅片的重金屬污染及陷阱效應(yīng),表面復(fù)合效應(yīng)等缺陷情況,。WCT在大于20%的超高效率太陽(yáng)能電池(HIT,MWT,EWT,PREL,等等)的研發(fā)和生產(chǎn)過(guò)程中是一種被廣泛選用的檢測(cè)工具。這種QSSPC測(cè)量少子壽命的方法可以在電池生產(chǎn)的中間任意階段得到一個(gè)類(lèi)似光照IV曲線(xiàn)的開(kāi)路電壓曲線(xiàn),，可以結(jié)合最后的IV曲線(xiàn)對(duì)電池制作過(guò)程進(jìn)行數(shù)據(jù)監(jiān)控和參數(shù)優(yōu)化,。主要應(yīng)用：分布監(jiān)控和優(yōu)化制造工藝其它應(yīng)用：檢測(cè)原始硅片的性能 測(cè)試過(guò)程硅片的重金屬污染狀況 評(píng)價(jià)表面鈍化和發(fā)射極擴(kuò)散摻雜的好壞 用得到的類(lèi)似IV的開(kāi)壓曲線(xiàn)來(lái)評(píng)價(jià)生產(chǎn)過(guò)程中由生產(chǎn)環(huán)節(jié)造成的漏電。 主要特點(diǎn)： 只要輕輕一點(diǎn)就能實(shí)現(xiàn)硅片的關(guān)鍵性能測(cè)試,，包括表面電阻,，少子壽命，陷阱密度,，發(fā)射極飽和電流密度和隱含電壓,。