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無損霍爾遷移率測(cè)試儀
  • 無損霍爾遷移率測(cè)試儀

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更新時(shí)間:2024-10-17 16:16:43

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憑借優(yōu)良的技術(shù)和豐富的產(chǎn)品線,,已發(fā)展成為中國大陸少數(shù)具有一定國際競爭力的半導(dǎo)體專用設(shè)備提供商,,產(chǎn)品得到眾多國內(nèi)外主流半導(dǎo)體廠商的認(rèn)可,并取得良好的市場(chǎng)口碑,。

主要應(yīng)用領(lǐng)域:碳化硅測(cè)試,、氮化鎵測(cè)試、晶圓硅片測(cè)試,、氧化鎵測(cè)試,、襯底和外延廠商、光伏電池片測(cè)試,。

霍爾遷移率(Hall mobility)是指Hall系數(shù)RH與電導(dǎo)率σ的乘積,,即│RH│σ,具有遷移率的量綱, 故特別稱為Hall遷移率,。表示為μH =│RH│σ


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