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“碳化硅的電子遷移率是900,，碳化硅MOSFET的溝道遷移率是50,，體遷移率是1000" 看到這樣的介紹，或許你非常疑惑,，為什么同一種材料中有這么多的遷移率,？我們在聽講座或者看相關文獻的時候，也經常會遇到不同的遷移率：霍爾遷移率,，漂移遷移率,，溝道遷移率，體遷移率等等,。這里,，就讓我來為大家具體分析一下這些不同的遷移率。大體上來說,，遷移率的概念可以分為三種：1. 最基礎的遷移率定義（microscopic mobility）; 2. 體材料里的遷移率（根據不同的測試方法得出不同的遷移率名稱）,； 3. 晶體管中的遷移率。