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霍爾遷移率少子壽命測試儀
  • 霍爾遷移率少子壽命測試儀

貨物所在地：江蘇蘇州市

更新時間：2024-10-17 10:53:15

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晶圓電阻率測試儀,，硅片電阻率測試儀，渦流法低電阻率分析儀,，晶錠電阻率分析儀，遷移率（霍爾）測試儀,，少子壽命測試儀,，
測試范圍廣：包括硅塊、硅棒,、硅芯,、檢磷棒、檢硼棒,、籽晶,、硅片等的少子壽命及鍺單晶的少子壽命測量。
■主要應用于硅棒,、硅芯,、檢磷棒,、檢硼棒、籽晶,、硅塊,、硅片的進廠,、出廠檢查,，生產(chǎn)工藝過程中重金屬沾污和缺陷的監(jiān)控等,。
■適用于低阻硅料少子壽命的測量,，電阻率測量范圍可達ρ>0.1Ω?cm（可擴展至0.01Ω?cm）,，完了微波光電導無法檢測低阻單晶硅的問題。
■全程監(jiān)控動態(tài)測試過程，避免了微波光電導（u-PCD）無法觀測晶體硅陷阱效應,，表面復合效應缺陷的問題,。
■貫穿深度大,，達500微米，相比微波光電導的30微米的貫穿深度,，真正體現(xiàn)了少子的體壽命的測量，避免了表面復合效應的干擾,。
■專業(yè)定制樣品架地滿足了原生多晶硅料生產(chǎn)企業(yè)測試多種形狀的硅材料少子壽命的要求,，包括硅芯,、檢磷棒,、檢硼棒等,。
■性價比高，價格遠低于國外國外少子壽命測試儀產(chǎn)品,，極大程度地降低了企業(yè)的測試成本,。




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