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氧化鎵電阻率方阻測(cè)試儀：Ga2O3是一種透明的氧化物半導(dǎo)體材料,，在光電子器件方面有廣闊的應(yīng)用前景,，被用作于Ga基半導(dǎo)體材料的絕緣層，以及紫外線(xiàn)濾光片,。它還可以用...

氮化鎵電阻率方阻測(cè)試儀：氮化鎵是一種無(wú)機(jī)物,，化學(xué)式GaN,，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體,，自1990年起常用在發(fā)光二極...

碳化硅電阻率方阻測(cè)試儀：1,、電阻率ρ不僅和導(dǎo)體的材料有關(guān),，還和導(dǎo)體的溫度有關(guān),。在溫度變化不大的范圍內(nèi)：幾乎所有金屬的電阻率隨溫度作線(xiàn)性變化,，即ρ=ρ0（1+at...

晶圓電阻率測(cè)試儀：電阻率（resistivity）是用來(lái)表示各種物質(zhì)電阻特性的物理量。在溫度一定的情況下,，有公式R=ρl/S,，其中ρ就是電阻率,，l為材料的長(zhǎng)度，...

硅片電阻率測(cè)試儀：電阻率（resistivity）是用來(lái)表示各種物質(zhì)電阻特性的物理量,。在溫度一定的情況下,，有公式R=ρl/S，其中ρ就是電阻率,，l為材料的長(zhǎng)度,，...

非接觸式單點(diǎn)薄層電阻測(cè)量系統(tǒng)。該裝置包含一個(gè)渦流傳感器組,，感應(yīng)弱電流到導(dǎo)電薄膜和材料,。非接觸式薄膜方塊電阻測(cè)量?jī)x試樣中的感應(yīng)電流產(chǎn)生與測(cè)量對(duì)象的片電阻相關(guān)的電磁...

表面光電壓法（Surface Photovoltage Method，簡(jiǎn)稱(chēng)SPV法）是通過(guò)測(cè)量由于光照在半導(dǎo)體材料表面產(chǎn)生的表面電壓來(lái)獲得少數(shù)載流子擴(kuò)散長(zhǎng)度的方...

無(wú)損方塊電阻測(cè)試儀包含一個(gè)渦流傳感器組,，感應(yīng)弱電流到導(dǎo)電薄膜和材料,。非接觸式薄膜方塊電阻測(cè)量?jī)x試樣中的感應(yīng)電流產(chǎn)生與測(cè)量對(duì)象的片電阻相關(guān)的電磁場(chǎng)。電渦流技術(shù)不依...

晶錠非接觸方阻測(cè)試儀：晶錠,，也叫單晶硅棒,，是一種純硅材料，在電子工業(yè)中被廣泛應(yīng)用,。晶錠是一種長(zhǎng)條狀的半導(dǎo)體材料,，通常采用Czochralski法或發(fā)明家貝爾曼的...

晶錠渦流法電阻率測(cè)試儀：電阻率是用來(lái)表示各種物質(zhì)電阻特性的物理量。某種物質(zhì)所制成的原件(常溫下20°C)的電阻與橫截面積的乘積與長(zhǎng)度的比值叫做這種物質(zhì)...

霍爾遷移率（Hall mobility）是指?Hall系數(shù)RH與?電導(dǎo)率σ的乘積,，即│RH│σ,，具有遷移率的量綱?。其表達(dá)式為μH =│RH│σ,。?12定義和計(jì)...

??渦流法方阻測(cè)試儀的方阻是指一個(gè)正方形?薄膜導(dǎo)電材料邊到邊的電阻?,，也稱(chēng)為方塊電阻或?膜電阻。方阻是衡量薄膜狀導(dǎo)電材料（如?蒸發(fā)鋁膜,、?導(dǎo)電漆膜,、印制電路板銅...

是一款汞探針CV自動(dòng)圖形掃描測(cè)量系統(tǒng),。它使用高頻CV測(cè)量分析系統(tǒng)，可以對(duì)75mm,、100mm,、125mm、150mm,、200mm（以及300mm）直徑的測(cè)試片進(jìn)...

電化學(xué)EC-V剖面濃度測(cè)試儀可高效,、準(zhǔn)確的測(cè)量半導(dǎo)體材料（結(jié)構(gòu)，層）中的摻雜濃度分布,。選用合適的電解液與材料接觸,、腐蝕，從而得到材料的摻雜濃度分布,。電容值電壓掃...

非接觸式無(wú)損方塊電阻測(cè)試儀,、晶圓方阻測(cè)試儀，方阻測(cè)試儀,，硅片電阻率測(cè)試儀,，渦流法高低電阻率分析儀，晶錠電阻率分析儀,，渦流法電阻率探頭和PN探頭測(cè)試儀,，遷移率（霍...

我司憑借先進(jìn)的技術(shù)和豐富的產(chǎn)品線(xiàn)，已發(fā)展成為中國(guó)大陸少數(shù)具有一定國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力的半導(dǎo)體專(zhuān)用設(shè)備提供商,，主營(yíng)非接觸方阻測(cè)試儀,、晶圓方阻測(cè)試儀，方阻測(cè)試儀,，硅片電阻率測(cè)...

霍爾遷移率測(cè)試儀主要利用微波測(cè)試原理,，非接觸式測(cè)量射頻HEMT結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體材料的方阻、遷移率及載流子濃度,?？蓪?shí)現(xiàn)單點(diǎn)測(cè)試，亦可以實(shí)現(xiàn)面掃描的測(cè)試功能,，具有快速,，無(wú)...

渦流法?電阻率方阻是一種利用電磁感應(yīng)原理進(jìn)行檢測(cè)的方法。當(dāng)載有交變電流的試驗(yàn)線(xiàn)圈靠近導(dǎo)體工件時(shí),，會(huì)產(chǎn)生交變磁場(chǎng),，進(jìn)而在工件中感生出密閉的環(huán)狀電流，即渦流,。渦流的...

設(shè)備主要利用渦電流測(cè)試原理,，非接觸測(cè)試半導(dǎo)體材料，石墨烯,，透明導(dǎo)電膜,，碳納米管,，金屬等材料的方阻（電阻率）?？蓪?shí)現(xiàn)單點(diǎn)測(cè)試,，亦可以實(shí)現(xiàn)面掃描的測(cè)試功能，可用于材...

PN型測(cè)試儀可以測(cè)試硅片PN型號(hào),、硅片厚度也是影響生產(chǎn)力的一個(gè)因素,，因?yàn)樗P(guān)系到每個(gè)硅塊所生產(chǎn)出的硅片數(shù)量。超薄的硅片給線(xiàn)鋸技術(shù)提出了額外的挑戰(zhàn),，因?yàn)槠渖a(chǎn)過(guò)程...