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參考價(jià)	面議

納米壓印設(shè)備

天仁微納

GL8 CLIV Gen2高精度紫外納米壓印光刻設(shè)備是天仁微納新型全幅高精度紫外納米壓印設(shè)備，標(biāo)配天仁微納CLIV（Contact Litho in Vacuum）壓印技術(shù),，可實(shí)現(xiàn)200mm基底面積上高精度（優(yōu)于10nm ）,、高深寬比（優(yōu)于10比1 ）納米結(jié)構(gòu)復(fù)制量產(chǎn)。

詳細(xì)介紹

GL8 CLIV Gen2高精度紫外納米壓印光刻設(shè)備是天仁微納新型全幅高精度紫外納米壓印設(shè)備,，標(biāo)配天仁微納CLIV（Contact Litho in Vacuum）壓印技術(shù),，可實(shí)現(xiàn)200mm基底面積上高精度（優(yōu)于10nm ）、高深寬比（優(yōu)于10比1 ）納米結(jié)構(gòu)復(fù)制量產(chǎn),。

GL8 CLIV Gen2 & GL12 CLIV Gen2 2inch/100/150/200mm & 2inch/100/150/200/300mm是天仁微納新型全幅高精度紫外納米壓印設(shè)備,，可實(shí)現(xiàn)200/300mm基底面積上高精度（優(yōu)于10nm ）、高深寬比（優(yōu)于10比1 ）納米結(jié)構(gòu)復(fù)制量產(chǎn),。
該設(shè)備支持自動(dòng)復(fù)制柔性復(fù)合工作模具,，工作模具具有精度高，壽命長(zhǎng)等特點(diǎn),，可以顯著降低大面積納米壓印工藝中模具使用成本,。保證了大面積納米壓印過程中結(jié)構(gòu)精度與高深寬比結(jié)構(gòu)的完整填充，同時(shí)保證了大面積結(jié)構(gòu)壓印均勻性,。
GL8/12 CLIV納米壓印設(shè)備適用于DOE,、AR/VR衍射光波導(dǎo)（包括斜齒光柵）、生物芯片,、LED,、微透鏡陣列等應(yīng)用領(lǐng)域的量產(chǎn)。

GL8 CLIV Gen2高精度紫外納米壓印光刻設(shè)備主要功能

● 經(jīng)過量產(chǎn)驗(yàn)證的200mm大面積,、高精度,、高深寬比納米壓印

● CLIV技術(shù)，確保壓印結(jié)構(gòu)精度與結(jié)構(gòu)填充完整性

● 設(shè)備內(nèi)自動(dòng)復(fù)制柔性復(fù)合工作模具,，降低大面積納米壓印模具使用成本

● 自動(dòng)對(duì)位,、自動(dòng)壓印,、自動(dòng)曝光固化、自動(dòng)脫模,，工藝過程無(wú)需人工干預(yù)

● 標(biāo)配高功率紫外LED面光源（365nm,，光強(qiáng)>1000mW/cm2 ），水冷冷卻,，特殊功率以及特殊,、混合波長(zhǎng)光源可訂制，支持各種商用納米壓印材料

● 標(biāo)配設(shè)備內(nèi)部潔凈環(huán)境與除靜電裝置

● 隨機(jī)提供全套納米壓印工藝與材料,，包括DOE,、AR斜齒光柵、高密度,、高深寬比結(jié)構(gòu)等工藝流程，幫助客戶零門檻達(dá)到高質(zhì)量的納米壓印水平

相關(guān)參數(shù)

兼容基底尺寸	2inch,、100mm,、150mm、200mm 特殊尺寸可定制
支持基底材料	硅片,、玻璃,、石英、塑料,、金屬等
上下片方式	手動(dòng)上下片
晶圓預(yù)對(duì)位	機(jī)械夾持預(yù)對(duì)位,，可選裝光學(xué)巡邊預(yù)對(duì)位
納米壓印技術(shù)	CLIV技術(shù)，適合高精度,、高深寬比納米結(jié)構(gòu)壓印
壓印精度	優(yōu)于10納米*
結(jié)構(gòu)深寬比	優(yōu)于10比1*
殘余層控制	可小于10nm*
紫外固化光源	紫外LED（365nm）面光源,，光強(qiáng)>1000mW/cm2，水冷冷卻（2000mW/cm2類型光源可選配）
設(shè)備內(nèi)部環(huán)境控制	標(biāo)配,，外部環(huán)境class 100,，內(nèi)部環(huán)境優(yōu)于Class 10*
自動(dòng)壓印	支持
自動(dòng)脫模	支持
自動(dòng)工作模具復(fù)制	支持
模具基底對(duì)位功能	自動(dòng)對(duì)位（選配）