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技術(shù)文章
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主要內(nèi)容由于III-V族半導(dǎo)體生長(zhǎng)所需的襯底成本過(guò)高，這使得大面積半導(dǎo)體生長(zhǎng)技術(shù)受到限制,。因此,，能夠分離器件層并重復(fù)使用原始襯底是較為理想的方案，但現(xiàn)有的從襯底上剝離薄膜技術(shù)具有顯著缺點(diǎn),。這篇文章討論...2023/6/19查看全文
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主要內(nèi)容此篇文章中,，中國(guó)科學(xué)院物理研究所和美國(guó)耶魯大學(xué)的研究人員開(kāi)展合作研究,，研究團(tuán)隊(duì)在前期工作的基礎(chǔ)上，打通了非晶合金高通量實(shí)驗(yàn)和實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)自動(dòng)分析的關(guān)鍵環(huán)節(jié),，實(shí)現(xiàn)了非晶合金新材料的高通量,、流程化研發(fā)...2023/6/8查看全文
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主要內(nèi)容牛津大學(xué)HenryJ.Snaith教授團(tuán)隊(duì)通過(guò)研究表明，Voc缺陷是由鈣鈦礦和ETL界面處較差的能帶排列引起的,。另外通過(guò)漂移擴(kuò)散模擬,，移動(dòng)離子阻礙電荷提取，可導(dǎo)致Jsc損失,。在這篇文章中,，團(tuán)隊(duì)...2023/6/7查看全文
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主要內(nèi)容量子技術(shù)的進(jìn)步來(lái)自于發(fā)現(xiàn)提高電子器件性能和功能的新材料系統(tǒng)。碲化鉛（PbTe）是IV–VI材料家族的一員,，擁有可探索的未知潛力,。由于其高電子遷移率、強(qiáng)自旋軌道耦合和超高介電常數(shù),，它可以容納少量...2023/5/23查看全文
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主要內(nèi)容能量紊亂是限制有機(jī)太陽(yáng)能電池（OSCs）性能的主要障礙之一,。然而，在非富勒烯受體（NFAs）中實(shí)現(xiàn)限制狀態(tài)密度的有利納米級(jí)形態(tài)是具有挑戰(zhàn)性的,。在這篇文章中,，中科院化學(xué)所侯劍輝等人引入了1，3,，...2023/5/17查看全文
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主要內(nèi)容準(zhǔn)二維（Q-2D）鈣鈦礦正成為最有前途的光電探測(cè)器材料之一,。然而，Q-2D鈣鈦礦用于光電檢測(cè)的一個(gè)重大挑戰(zhàn)是其電荷傳輸能力不足,，這主要?dú)w因于其混合低維n相（n-phase）結(jié)構(gòu),。研究表明，在整...2023/5/12查看全文
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主要內(nèi)容可印刷介觀鈣鈦礦太陽(yáng)能電池（p-MPSCs）的低成本和可擴(kuò)展性優(yōu)勢(shì)因功率轉(zhuǎn)換效率（PCE）有限的問(wèn)題而受限。在這篇文章中,，華中科技大學(xué)韓宏偉,、香港中文大學(xué)路新慧等人通過(guò)將聚合物添加劑聚丙烯腈（...2023/5/11查看全文
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主要內(nèi)容基于A-DA’DA型小分子受體（SMAs）的高效有機(jī)太陽(yáng)能電池（OSCs）大多是通過(guò)有毒鹵化溶劑制備而成的，而非鹵化溶劑處理的OSCs的功率轉(zhuǎn)換效率（PCE）主要受到SMAs過(guò)度聚集的限制,。為...2023/5/10查看全文
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主要內(nèi)容近年來(lái)，隨著物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)領(lǐng)域的快速發(fā)展,，見(jiàn)證了室內(nèi)光伏（PV）器件的出現(xiàn),。在室內(nèi)光伏的候選材料中,，鹵化物鈣鈦礦由于其光電性能而收到廣泛關(guān)注。在這篇文章中,，研究人員使用Spiro-OMeTAD和P...2023/5/9查看全文
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主要內(nèi)容近年來(lái),，有機(jī)/無(wú)機(jī)混合材料因其優(yōu)異的光學(xué)性能在多層防反射膜領(lǐng)域備受關(guān)注,。在這篇文章中，研究人員以聚乙烯醇（PVA）和異丙醇鈦（IV）（TTIP）為原料制備了有機(jī)/無(wú)機(jī)納米復(fù)合材料,。該混合材料在...2023/5/8查看全文