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IOP Science：分子束外延生長PbTe納米線
主要內(nèi)容
量子技術(shù)的進(jìn)步來自于發(fā)現(xiàn)提高電子器件性能和功能的新材料系統(tǒng),。碲化鉛（PbTe）是IV–VI材料家族的一員，擁有可探索的未知潛力,。由于其高電子遷移率,、強(qiáng)自旋軌道耦合和超高介電常數(shù),，它可以容納少量電子量子點和彈道量子線,，并有機(jī)會控制電子自旋和其他量子自由度。
在這篇文章中,，研究團(tuán)隊報道了如何通過分子束外延制備PbTe納米線,。實現(xiàn)了適用于量子器件的無缺陷單晶PbTe，具有高達(dá)50的縱橫比,。此外,，通過制造單個納米線場效應(yīng)晶體管實現(xiàn)了雙極傳輸，提取帶隙并觀察電導(dǎo)的Fabry–P′erot振蕩及準(zhǔn)彈道傳輸?shù)奶卣鳌?/span>
其中由巨力光電代理的 kSA BandiT實時襯底溫度測試儀 在研究過程中提供測量實時溫度
產(chǎn)品推薦
1. kSA BandiT實時襯底溫度測試儀 是一種非接觸,、實時測量半導(dǎo)體襯底表面溫度的測試系統(tǒng),，采用半導(dǎo)體材料吸收邊隨溫度的變化的原理,，實時測量晶片/襯底的溫度,。
2. kSA ACE 原位MBE束流監(jiān)測系統(tǒng) 是一種高靈敏度的在線原位原子束流監(jiān)測設(shè)備，它利用原子吸收光譜的原理來測量對應(yīng)原子種類的通量率,。該設(shè)備可實時原位檢測原子束流密度,、生長速率，實現(xiàn)對薄膜成分精確控制,。
文獻(xiàn)信息
Growth of PbTe nanowires by molecular beam epitaxy
Sander G Schellingerhout, Eline J de Jong, Maksim Gomanko, Xin Guan, Yifan Jiang, Max S M Hoskam, Jason Jung, Sebastian Koelling, Oussama Moutanabbir, Marcel A Verheijen, Sergey M Frolov and Erik P A M Bakkers