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產(chǎn)品分類 品牌分類

光催化及光敏材料測試設(shè)備

光催化專用太陽光模擬器高準(zhǔn)直紫外光源
鈣鈦礦LED/OLED測試設(shè)備

發(fā)光效率測量系統(tǒng) 光譜分析系統(tǒng) 光電性能測量系統(tǒng)
日本SAN-EI 太陽光模擬器

AAA+級雙光太陽光模擬器 AAA太陽光模擬器 150W 太陽光模擬器聚光太陽光模擬器太陽能電池IV性能測試儀太陽能電池組件測試儀太陽能電池測試多通道太陽能電池穩(wěn)定性測試 OLED模擬軟件太陽能電池穩(wěn)定性測試太陽能電池載流子測試光纖太陽光模擬器光譜響應(yīng)/量子效率量測儀全光譜太陽光模擬器太陽能電池量子效率測試系統(tǒng) AAA級太陽光模擬器雙燈太陽光模擬器穩(wěn)態(tài)太陽光模擬器瞬態(tài)光電流/光電壓測試系統(tǒng) 太陽能電池載流子測試設(shè)備載流子擴散長度測試系統(tǒng)
薄膜性能測試設(shè)備

薄膜應(yīng)力測試儀薄膜熱應(yīng)力測量系統(tǒng) 薄膜生長速率測試儀薄膜/涂層殘余應(yīng)力儀電池電極應(yīng)力測試系統(tǒng) 薄膜應(yīng)力測量系統(tǒng) 原位薄膜應(yīng)力測試儀薄膜應(yīng)力測試系統(tǒng) kSA BandiT實時襯底溫度測試儀 kSA 400 RHEED分析系統(tǒng) 反射高能電子衍射儀 RHEED 應(yīng)力測量系統(tǒng)
共聚焦顯微鏡
激光光束質(zhì)量分析儀
納米材料制備設(shè)備

石墨烯制備系統(tǒng)（CVD）噴霧熱解成膜系統(tǒng) 碳納米管CVD制備系統(tǒng) 原子層沉積系統(tǒng) 卷對卷涂布系統(tǒng) 涂布機
微納米加工設(shè)備

納米壓印系統(tǒng)
介電/壓電材料測試設(shè)備

電卡效應(yīng)測試儀高溫介電測試系統(tǒng) 熱釋電測試儀熱刺激電流測試儀精密壓電系數(shù)測試儀高分子壓電系數(shù)測試儀高場寬頻譜介電測量系統(tǒng) 低溫寬頻介電測量系統(tǒng) 電滯回線及高壓介電擊穿強度測試系統(tǒng) 高壓漏電流及熱釋電測量系統(tǒng) 電容充放電測試儀
太陽能電池測試設(shè)備

瞬態(tài)光電壓測試瞬態(tài)光電流測試太陽能電池老化測試太陽能電池老化壽命測試儀鈣鈦礦太陽能電池測試儀太陽能電池單體測試儀太陽能電池測試夾具太陽能電池IV測試軟件
氙燈電源
高純度鈣鈦礦前驅(qū)體材料
其他相關(guān)設(shè)備

ACS Omega：對MBE系統(tǒng)生長NaCl/GaAs體系內(nèi)在特性的思考

閱讀：874 發(fā)布時間：2023/6/19

主要內(nèi)容

由于 III-V 族半導(dǎo)體生長所需的襯底成本過高,，這使得大面積半導(dǎo)體生長技術(shù)受到限制,。因此,，能夠分離器件層并重復(fù)使用原始襯底是較為理想的方案,，但現(xiàn)有的從襯底上剝離薄膜技術(shù)具有顯著缺點,。這篇文章討論了在 III-V 族襯底和覆蓋層之間所生長的水溶性堿鹵鹽薄膜的復(fù)雜性,。大部分困難源于生長的 GaAs 在高溫下會在 NaCI 表面活性分解,。GaAs 沉積之前和沉積期間，原位電子束入射到 NaCl 表面會影響 III?V 族覆蓋層結(jié)晶度和形態(tài),。

在這篇文章中,，團隊研究了生長過程中寬范圍生長溫度、元素源和高能電子在不同點的撞擊通量時間等因素對生長的影響,。其中發(fā)現(xiàn),，根據(jù)特定生長條件會出現(xiàn)各種形態(tài)（離散島狀物、多孔材料及具有尖銳界面的致密層）和結(jié)晶度（非晶,、結(jié)晶,、高紋理），這主要是由 GaAs 成核的變化驅(qū)動,，而 GaAs 成核在很大程度上受到反射式高能電子衍射束的影響,。