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LED太陽(yáng)光模擬器 AAA+級(jí)雙光太陽(yáng)光模擬器 AAA太陽(yáng)光模擬器 150W 太陽(yáng)光模擬器 聚光太陽(yáng)光模擬器 太陽(yáng)能電池IV性能測(cè)試儀 太陽(yáng)能電池組件測(cè)試儀 太陽(yáng)能電池測(cè)試 多通道太陽(yáng)能電池穩(wěn)定性測(cè)試 OLED模擬軟件 太陽(yáng)能電池穩(wěn)定性測(cè)試 太陽(yáng)能電池載流子測(cè)試 光纖太陽(yáng)光模擬器 光譜響應(yīng)/量子效率量測(cè)儀 全光譜太陽(yáng)光模擬器 太陽(yáng)能電池量子效率測(cè)試系統(tǒng) AAA級(jí)太陽(yáng)光模擬器 雙燈太陽(yáng)光模擬器 穩(wěn)態(tài)太陽(yáng)光模擬器 瞬態(tài)光電流/光電壓測(cè)試系統(tǒng) 太陽(yáng)能電池載流子測(cè)試設(shè)備 載流子擴(kuò)散長(zhǎng)度測(cè)試系統(tǒng)
Nat. Mater.：數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)的金屬非晶態(tài)形成能力通用指標(biāo)的發(fā)現(xiàn)
主要內(nèi)容
此篇文章中，中國(guó)科學(xué)院物理研究所和美國(guó)耶魯大學(xué)的研究人員開展合作研究,，研究團(tuán)隊(duì)在前期工作的基礎(chǔ)上，打通了非晶合金高通量實(shí)驗(yàn)和實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)自動(dòng)分析的關(guān)鍵環(huán)節(jié),，實(shí)現(xiàn)了非晶合金新材料的高通量,、流程化研發(fā)?；谠撗邪l(fā)模式,，團(tuán)隊(duì)采集分析了5700余種合金的X射線衍射（XRD）圖譜,，發(fā)現(xiàn)XRD第一峰的峰寬（Δq）在同一合金體系內(nèi)隨成分的改變呈規(guī)律性變化，合金的非晶形成能力與Δq有明顯關(guān)聯(lián),，寬的Δq對(duì)應(yīng)強(qiáng)的非晶形成能力,。利用Δq和GFA的關(guān)聯(lián)（Δq-GFA判據(jù)），該團(tuán)隊(duì)在以往未被報(bào)道的Zr-Cu-Cr和Ir-Co-Ta合金體系中發(fā)現(xiàn)了非晶形成能力強(qiáng),、能夠形成塊體的非晶合金新材料,，證明Δq-GFA判據(jù)是指導(dǎo)非晶合金新材料高效研發(fā)的有利工具。
該研究成果不僅為探索非晶合金新材料提供了便捷,、實(shí)用,、高效的新判據(jù)，可大幅提高研發(fā)非晶合金新材料的效率（和傳統(tǒng)的“試錯(cuò)法"相比,，效率提高200多倍,；和以往的高通量實(shí)驗(yàn)方法相比，效率提高100倍）,，而且改變了傳統(tǒng)認(rèn)為的特定團(tuán)簇出現(xiàn)越多非晶形成能力越強(qiáng)的研究結(jié)論,，為認(rèn)識(shí)非晶形成機(jī)理給出了新的方向。
其中由巨力光電代理的 kSA MOS UltraScan離線薄膜應(yīng)力測(cè)量系統(tǒng) 為該研究提供了精確的曲率和薄膜殘余應(yīng)力的測(cè)量
產(chǎn)品推薦
kSA MOS UltraScan 離線薄膜應(yīng)力測(cè)量系統(tǒng) 采用非接觸 MOS（多光束光學(xué)傳感） 激光技術(shù),；不但可以對(duì)薄膜的應(yīng)力,、表面曲率和翹曲進(jìn)行準(zhǔn)確的測(cè)量，還可二維應(yīng)力 Mapping成像統(tǒng)計(jì)分析,；同時(shí)準(zhǔn)確測(cè)量應(yīng)力,、曲率隨溫度變化的關(guān)系。
文獻(xiàn)信息
Data-driven discovery of a universal indicator for metallic glass forming ability
Ming-Xing Li, Yi-Tao Sun, Chao Wang, Li-Wei Hu, Sungwoo Sohn, Jan Schroers, Wei-Hua Wang & Yan-Hui Liu