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參 考 價(jià) | 面議 |
產(chǎn)品型號(hào)
品 牌其他品牌
廠商性質(zhì)生產(chǎn)商
所 在 地武漢市
更新時(shí)間:2021-06-22 15:34:50瀏覽次數(shù):562次
聯(lián)系我時(shí),,請(qǐng)告知來(lái)自 化工儀器網(wǎng)半導(dǎo)體分立器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試儀
半導(dǎo)體SiC靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀
半導(dǎo)體分立器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀
產(chǎn)地類別 | 國(guó)產(chǎn) | 價(jià)格區(qū)間 | 面議 |
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應(yīng)用領(lǐng)域 | 醫(yī)療衛(wèi)生,化工,電子 |
磁控濺射真空鍍膜系統(tǒng)
是一種用于物理學(xué),、化學(xué),、材料科學(xué)領(lǐng)域的工藝試驗(yàn)儀器是一種用于物理學(xué)、化學(xué),、材料科學(xué)領(lǐng)域的工藝試驗(yàn)儀器
技術(shù)指標(biāo)
1.極限真空:7×10-6Pa2.磁控靶:Φ英寸×5只(永磁)3.靶—基距:20—100mm4.基片架:直接水冷,,可轉(zhuǎn)動(dòng)5.樣品:2.6×76mm或F60mm×8(最大)6.氣路:0~10sccm,0~10sccm,,0~100sccm質(zhì)量流量計(jì),、共4路進(jìn)氣7.電源:RF13.65MHZ600W×2(進(jìn)口)DC1000W×1(進(jìn)口)RF500W×2(國(guó)產(chǎn))8.機(jī)械手:2只。
主要功能
可制備各種金屬,、非金屬薄膜的復(fù)合多層薄膜,,特別是磁性薄膜;可進(jìn)行多元共濺射,,并可同時(shí)導(dǎo)入二種反應(yīng)氣體進(jìn)行反應(yīng)濺射,;可對(duì)基片加熱濺射和反濺射清洗。
特點(diǎn):
1,、支持向上或向下的鍍膜方式,;
2、*的濺射靶材結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),,實(shí)現(xiàn)膜厚分部的穩(wěn)定可靠,;
3、高速旋轉(zhuǎn)的傘具與實(shí)際鍍膜工件的監(jiān)控位置,,實(shí)現(xiàn)了所見即所得,;
4、多通道透射式監(jiān)控,,配合可調(diào)節(jié)膜厚修正板,,實(shí)現(xiàn)了膜厚分布的反饋控制;
5,、支持任意膜厚的控制,;
6、通用的控制平臺(tái),,友好的人機(jī)界面,,使客戶可以自行設(shè)置鍍膜機(jī)的所有控制參數(shù);
7,、開放式接口,,方便安裝第三方的光學(xué)膜厚儀;
8、氣流和氣壓同時(shí)實(shí)時(shí)控制,,適用出氣量大的低溫鍍膜,。
磁控濺射真空鍍膜系統(tǒng)
工藝參數(shù):
1、真空系統(tǒng)
a) 極限真空度:4.0×10-5Pa
b) 抽至10Pa所用時(shí)間:≦ 10 分鐘
c) 漏率: 3.0×10-5Pa m3/sec
2,、控制精度
a) 靶材尺寸:8寸直徑
b) 工件旋速: 20-120RPM
c) 工件尺寸:直徑900mm
d) 離子源:等離子體離子源
e) 加熱溫度:上下雙加熱控制,,Z高溫度350度
f)高真空泵:DN400油擴(kuò)散泵或電子泵
g)低真空泵組:機(jī)械泵+羅茨泵機(jī)組
h)冷阱:雙組Polycold
3、光學(xué)監(jiān)控系統(tǒng)OMS
a) 波長(zhǎng)精度:0.2nm
b) 光強(qiáng)波動(dòng): 白光< 0.1%,,激光< 0.02%
c) 波長(zhǎng)范圍: 400nm-1650nm
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