PECVD開啟式管式爐系統(tǒng)在真空壓力下,，加在電感線圈的射頻電場，使反應室氣體發(fā)生輝光放電,，在輝光發(fā)電區(qū)域產(chǎn)生大量的電子,。這些電子在電場的作用下獲得充足的能量，其本身溫度很高,，它與氣體分子相碰撞,，使氣體分子活化。它們吸附在襯底上,，并發(fā)生化學反應生成介質(zhì)膜,，副產(chǎn)物從襯底上解吸，隨主氣流由真空泵抽走,，稱為等離子體增強化學氣相沉(PECVD),。

PECVD開啟式管式爐系統(tǒng)由開啟式管式爐、高真空分子泵系統(tǒng),、射頻電源系統(tǒng)及多通道高精度數(shù)字質(zhì)量流量控制系統(tǒng)組成,，是實驗室生長薄膜石墨烯，金屬薄膜,，陶瓷薄膜,，復合薄膜等的理想選擇,。

主要功能和特點：

1、PECVD具有基本溫度低,、沉積速率快,、成膜質(zhì)量好、針孔較少,、不易龜裂等,；

2、PECVD工藝中由于等離子體中高速運動的電子撞擊到中性的反應氣體分子,，就會使中性反應氣體分子變成碎片或處于激活的狀態(tài)容易發(fā)生反應,；

3、借助射頻等使含有薄膜組成原子的氣體,，在局部形成等離子體,，而等離子體化學活性很強，很容易發(fā)生反應,，在基片上沉積出所期望的薄膜,；

4、高真空系統(tǒng)由雙級旋片真空泵和分子泵組成,，zui高真空可達0.001Pa,；

5、數(shù)字質(zhì)量流量控制系統(tǒng)是由多路質(zhì)量流量計,，流量顯示儀等組成,，實現(xiàn)氣體的流量的精密測量和控制；

6,、每條氣體管路均配備高壓逆止閥,，保證系統(tǒng)的安全性和連續(xù)均勻性；

7,、采用KF快速法蘭密封,，裝卸方便快捷；

8,、管路采用世界*Swagelok卡套連接,，不漏氣；

9,、超溫,、過壓時，自動切斷加熱電源及流量計進氣,，使用安全可靠,。

主要用途：

高校、科研院所用于真空鍍膜,、納米薄膜材料制備,，生長薄膜石墨烯,，金屬薄膜，陶瓷薄膜,，復合薄膜等,，也可作為擴展等離子清洗刻蝕使用。

技術參數(shù)：

SKGL-1200

開啟式管式爐

控溫方式

采用人工智能調(diào)節(jié)技術,，具有PID調(diào)節(jié),、自整定功能，并可編制30段升降溫程序,。

加熱元件

0Cr27Al7Mo2

工作電源

AC220V 50Hz/60Hz

額定功率

4kw

爐管材質(zhì)

高純石英管

爐管尺寸

Φ60/Φ80*1200mm

工作溫度

≤1150℃

zui高溫度

1200℃

恒溫精度

±1℃

恒溫區(qū)

200mm

升溫速度

≤10℃/min

密封方式

不銹鋼快速法蘭擠壓密封

ZK-F

分子泵真空系統(tǒng)

真空范圍

0.1-0.001Pa

極限真空

4.0*10^-4Pa

產(chǎn)品配置

雙級旋片真空泵+分子泵

測量方式

復合真空計

真空規(guī)管

電阻規(guī)+電離規(guī)

冷卻方式

風冷

工作電源

AC220V 50/60HZ

抽速

110L/S

射頻電源系統(tǒng)

射頻功率輸出范圍

5~500W

射頻頻率

13.56MHz±0.005%

噪聲

≤55DB

冷卻方式

風冷

功率溫定度

± 0.1%

HQZ-Ⅳ

混氣系統(tǒng)

流量規(guī)格

0－200sccm （可根據(jù)客戶需要配置）

線性

±1.5%F.S

準確度

±1.5%F.S

重復精度

±0.2%F.S.

響應時間

≤8sec

耐壓

3MPa

氣路通道

4通道（根據(jù)客戶需求）

針閥

316不銹鋼

管道

Φ6mm不銹鋼管

接口

SwagelokΦ6mm