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ICPECVD沉積技術
NPE-4000(ICPA)全自動ICPECVD等離子體化學氣相沉積系統(tǒng)概述:NANO-MASTER ICPECVD系統(tǒng)能夠沉積高質量的SiO2, Si3N4, 或DLC薄膜到zui大可達6" 直徑的基片上.該系統(tǒng)采用淋浴頭電極或中空陰極射頻等離子源來產生等離子,,具有分形氣流分布的優(yōu)勢.樣品臺可以通過RF或脈沖DC產生偏壓,。并可以支持加熱和循環(huán)冷卻水的冷卻.使用250l/sec渦輪分子泵及3.5 cfm的機械泵,腔體可以達到低至10-7 torr的真空,。標準配置包含1路惰性氣體,、3路活性氣體管路和4個MFC.帶有*氣體分布系統(tǒng)的平面中空陰極等離子源使得系統(tǒng)可以滿足廣大范圍的要求,無論是等離子強度,、均勻度,,還是要分別激活某些活性組份,這樣系統(tǒng)可以覆蓋zui廣的可能性來獲得各種沉積參數(shù),。
NPE-4000(ICPA)全自動ICPECVD等離子體化學氣相沉積系統(tǒng)應用:
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