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DRIE深反應(yīng)離子刻蝕

NDR-4000（M）DRIE深反應(yīng)離子刻蝕概述：是帶低溫晶圓片冷卻和偏壓樣品臺的深硅刻蝕系統(tǒng),，帶8" ICP源。系統(tǒng)可以配套500L/S抽速的渦輪分子泵,，可以使得工藝壓力達(dá)到幾mTorr的水平,。在低溫刻蝕的技術(shù)下,，系統(tǒng)可以達(dá)到硅片的高深寬比刻蝕。

NDR-4000（M）DRIE深反應(yīng)離子刻蝕主要特點：

• 基于PC控制的緊湊型立柜式百級DRIE深硅刻蝕系統(tǒng),，擁有高縱橫比的刻蝕能力,；
• 配套Lab View軟件，菜單驅(qū)動,，自動記錄數(shù)據(jù),；
• 觸摸屏監(jiān)控；
• 全自動系統(tǒng),，帶安全聯(lián)鎖,；
• 四級權(quán)限，帶密碼保護(hù),；
• 手動上下載片,；
• He氣背面冷卻，-60攝氏度的低溫樣品夾具,；
• 高達(dá)-1000V的外部偏壓,；
• 渦輪分子泵 + 渦旋干泵；
• 可以支持DRIE和RIE兩種刻蝕模式,；
• 實時顯示真空,、功率、反射功率圖表,，以及流量實時顯示,；

配置內(nèi)容：

• 外觀尺寸：緊湊型立柜式設(shè)計，不銹鋼腔體,，外觀尺寸為44"(W) x 26"(L) x62"(H),；
• 等離子源：NM ICP平面等離子源，帶淋浴頭氣體分布系統(tǒng),。等離子源安裝在腔體頂部,，通過ISO250的法蘭連接；
• 處理腔體：13"的圓柱形超凈腔體,，材質(zhì)為陽極電鍍鋁,。晶片通過氣動頂蓋裝載，腔體帶有上載安全鎖,，用戶可以通過PC控制,，zui多可以裝載8個小尺寸基片，zui大可支持的晶圓尺寸為8",。腔體帶有2"的觀察窗口,。腔體頂部的噴嘴式氣流分配裝置，提供8"區(qū)域的氣體均勻分布。系統(tǒng)帶暗區(qū)保護(hù),。
• 樣品臺：6"的托盤夾具,，能夠支持6"的Wafer?？梢岳鋮s到-120攝氏度（包含LN2循環(huán)水冷系統(tǒng)）,，并采用He氣實現(xiàn)背部冷卻和自動鎖緊，微精細(xì)地控制He氣流量,，包含氣動截止閥,；
• 流量控制：支持5個或更多的MFC’s 用于硅的深度刻蝕，帶氣動截止閥,，所有的慢/快通道采用電磁閥和氣動閥控制,，電拋光的不銹鋼氣體管路帶有VCR和VCO(壓控振蕩器)配件，所有導(dǎo)管以盡可能短的導(dǎo)軌密封設(shè)計,，從而減低空間浪費(fèi)并達(dá)到快速的氣路切換,。所有處理氣體的管路在處理結(jié)束后，采用N2自動沖洗,。
• 真空系統(tǒng)：泵組包含渦輪分子泵和旋葉真空泵,。
• RF電源：13.56MHz，帶自動調(diào)諧功能的1000W射頻電源,，作為ICP源,。另外，帶自動調(diào)諧功能的600W射頻電源用于基臺偏壓,。
• 操作控制：整個系統(tǒng)通過預(yù)裝的Lab View軟件和觸摸監(jiān)控系統(tǒng),，實現(xiàn)PC全自動控制。MFC,閥和頂蓋都是氣動式的,，都可PC控制,。系統(tǒng)的實時壓力和直流自偏壓以圖表格式顯示，而流量和功率則以字母數(shù)字形式顯示,。系統(tǒng)提供密碼和安全連鎖機(jī)制的四級權(quán)限控制。