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刻蝕機(jī)濕法刻蝕相對(duì)于等離子刻蝕反應(yīng)離子刻蝕一體機(jī)的缺點(diǎn)

時(shí)間:2015-9-7閱讀:3457
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   等離子刻蝕反應(yīng)離子刻蝕一體機(jī)又叫等離子蝕刻機(jī),、等離子平面刻蝕機(jī),、等離子體刻蝕機(jī)、等離子表面處理儀,、等離子清洗系統(tǒng)等。等離子刻蝕,,是干法刻蝕中zui常見(jiàn)的一種形式,其原理是暴露在電子區(qū)域的氣體形成等離子體,,由此產(chǎn)生的電離氣體和釋放高能電子組成的氣體,從而形成了等離子或離子,,電離氣體原子通過(guò)電場(chǎng)加速時(shí),,會(huì)釋放足夠的力量與表面驅(qū)逐力緊緊粘合材料或蝕刻表面。某種程度來(lái)講,,等離子清洗實(shí)質(zhì)上是等離子體刻蝕的一種較輕微的情況,。進(jìn)行干式蝕刻工藝的設(shè)備包括反應(yīng)室、電源,、真空部分,。工件送入被真空泵抽空的反應(yīng)室。氣體被導(dǎo)入并與等離子體進(jìn)行交換,。等離子體在工件表面發(fā)生反應(yīng),反應(yīng)的揮發(fā)性副產(chǎn)物被真空泵抽走,。等離子體刻蝕工藝實(shí)際上便是一種反應(yīng)性等離子工藝。近期的發(fā)展是在反應(yīng)室的內(nèi)部安裝成擱架形式,,這種設(shè)計(jì)的是富有彈性的,,用戶(hù)可以移去架子來(lái)配置合適的等離子體的蝕刻方法:反應(yīng)性等離子體(RIE),順流等離子體(downstream),,直接等離子體(direction plasma),。

  等離子刻蝕反應(yīng)離子刻蝕一體機(jī)的應(yīng)用
  等離子體清除浮渣
  光阻材料剝離
  表面處理
  各向異性和各向同性失效分析應(yīng)用
  包裝清洗
  鈍化層蝕刻
  聚亞酰胺蝕刻
  增強(qiáng)粘接力
  生物醫(yī)學(xué)應(yīng)用
  聚合反應(yīng)
  混合物清洗
  預(yù)結(jié)合清洗

  刻蝕機(jī)濕法刻蝕相對(duì)于等離子刻蝕反應(yīng)離子刻蝕一體機(jī)的缺點(diǎn)
  1. 硅片水平運(yùn)行,機(jī)片高(等離子刻蝕去PSG槽式浸泡甩干,,硅片受沖擊?。?/span>
  2. 下料吸筆易污染硅片(等離子刻蝕去PSG后甩干),;
  3. 傳動(dòng)滾抽易變形(PVDF,PP材質(zhì)且水平放置易變形),;
  4. 成本高(化學(xué)品刻蝕代替等離子刻蝕成本增加),。
  此外,有些等離子刻蝕機(jī),,如SCE等離子刻蝕機(jī)還具備“綠色”優(yōu)勢(shì):無(wú)氟氯化碳和污水、操作和環(huán)境安全,、排除有毒和腐蝕性的液體。SCE等離子刻蝕機(jī)支持以下四種平面等離子體處理模式:
  直接模式——基片可以直接放置在電極托架或是底座托架上,,以獲得zui大的平面刻蝕效果,。
  定向模式——需要非等向性刻蝕(anisotropic etching)的基片可以放置在特制的平面托架上。
  下游模式——基片可以放置在不帶電托架上,,以便取得微小的等離子體效果,。
  定制模式——當(dāng)平面刻蝕配置不過(guò)理想時(shí),特制的電極配置可以提供,。


等離子刻蝕反應(yīng)離子刻蝕一體機(jī)

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