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詳細(xì)摘要：介電常數(shù)測(cè)試儀主要特點(diǎn)：空洞共振腔適用于CCL/印刷線路板,，薄膜等非破壞性低介電損耗材料量測(cè)。 印電路板主要由玻纖與環(huán)氧樹脂組成的, 玻纖介電常數(shù)為5~6, 樹脂大約是3, 由于樹脂含量, 硬化程度, 溶劑殘留等因素會(huì)造成介電特性的偏差, 傳統(tǒng)測(cè)量方法樣品制作不易, 尤其是薄膜樣品（ 小于 10 mil） 量測(cè)值偏低,,。 產(chǎn)品型號(hào)：所在地：北京 參考價(jià)：面議
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詳細(xì)摘要：介電常數(shù)相對(duì)電容率測(cè)試儀工作原理本測(cè)試裝置是由二只測(cè)微電容器組成,，平板電容器一般用來夾持被測(cè)樣品，園筒電容器是一只分辨率高達(dá)0.0033pF的線性可變電容器,，配用儀器作為指示儀器,，絕緣材料的損耗角正切值是通過被測(cè)樣品放進(jìn)平板電容器和不放進(jìn)樣品的Q值變化，由園筒電容器的刻度讀值變化值而換算得到的,。同時(shí),，由平板電容器的刻度讀值變化而換算得到介電常數(shù) 產(chǎn)品型號(hào)：gdat-a所在地：北京 參考價(jià)：面議
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詳細(xì)摘要：工頻介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀 北廣公司核心技術(shù)由北廣公司嚴(yán)格組建 并有專業(yè)的儀器美工專注外觀設(shè)計(jì) 從儀器的研發(fā)、生產(chǎn),、銷售,、售后等 *承建企業(yè)體系 。并且研發(fā)更的試驗(yàn)控制儀器 控制方式*升級(jí) 現(xiàn)研發(fā)的微機(jī)控制儀器,、控制方式采用無線藍(lán)牙*技術(shù) 并且可選用 232 / USB/亞太局域網(wǎng)絡(luò)端口,，已是全國(guó)* * 產(chǎn)品型號(hào)：GDAT-a所在地：北京 參考價(jià)：面議
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詳細(xì)摘要：高頻介電常數(shù)介質(zhì)損耗因數(shù)正切值測(cè)試儀 產(chǎn)品型號(hào)：GDAT-A所在地：北京 參考價(jià)：面議
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詳細(xì)摘要：絕緣材料介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀： ◎ 本公司創(chuàng)新的自動(dòng)Q值保持技術(shù)，使測(cè)Q分辨率至0.1Q,，使tanδ分辨率至0.00005 ,。 ◎ 能對(duì)固體絕緣材料在10kHz～120MHz介質(zhì)損耗角（tanδ）和介電常數(shù)（ε）變化的測(cè)試。 ◎ 調(diào)諧回路殘余電感值低至8nH,，保證100MHz的（tanδ）和（ε）的誤差較小,。 ◎ 特制LCD屏菜單式顯示多參數(shù)：Q值，測(cè)試頻率，調(diào)諧狀態(tài)等,。 產(chǎn)品型號(hào)：GDAT-A所在地：北京 參考價(jià)：面議
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詳細(xì)摘要：高頻介電常數(shù)介質(zhì)損耗因數(shù)測(cè)試儀能在較高的測(cè)試頻率條件下,，測(cè)量高頻電感或諧振回路的Q值，電感器的電感量和分布電容量,，電容器的電容量和損耗角正切值,，電工材料的高頻介質(zhì)損耗，高頻回路有效并聯(lián)及串聯(lián)電阻,，傳輸線的特性阻抗等,。該儀器廣泛地用于科研機(jī)關(guān)、學(xué)校,、工廠等單位,。 產(chǎn)品型號(hào)：GDAT-A所在地：北京 參考價(jià)：面議
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詳細(xì)摘要：1．Q值測(cè)量 a．Q值測(cè)量范圍：2～1023； b．Q值量程分檔：30,、100,、300、1000,、自動(dòng)換檔或手動(dòng)換檔,； c．標(biāo)稱誤差 頻率范圍25kHz～10MHz100kHz～10MHz 固有誤差≤5％±滿度值的2%≤5％±滿度值的2% 工作誤差≤7％±滿度值的2%≤7％±滿度值的2% 頻率范圍10MHz～60MHz10MHz～160MHz 固 產(chǎn)品型號(hào)：GDAT-A所在地：北京 參考價(jià)：面議
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詳細(xì)摘要：介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀裝置： 2.3.1 平板電容器極片尺寸：:Φ38mm和Φ50mm二種. 2.3.2 平板電容器間距可調(diào)范圍和分辨率：0～8mm， ±0.01mm 2.3.3 圓筒電容器線性： 0.33 pF /mm±0.05 pF, 2.3.4 圓筒電容器可調(diào)范圍：±12.5mm（±4.2pF） 2.3.5 裝置插頭間距：25mm±0.1mm 2.3.6 裝置損耗角正切值:≤2.5×10 產(chǎn)品型號(hào)：GDAT-A所在地：北京 參考價(jià)：面議
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詳細(xì)摘要：材料高頻介電常數(shù)測(cè)定儀 平板電容器極片尺寸：:Φ38mm和Φ50mm二種. 2.3.2 平板電容器間距可調(diào)范圍和分辨率：0～8mm,， ±0.01mm 2.3.3 圓筒電容器線性： 0.33 pF /mm±0.05 pF, 2.3.4 圓筒電容器可調(diào)范圍：±12.5mm（±4.2pF） 2.3.5 裝置插頭間距：25mm±0.1mm 2.3.6 裝置損耗角正切值:≤2.5×10-4 產(chǎn)品型號(hào)：GDAT-A所在地：北京 參考價(jià)：面議
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詳細(xì)摘要：介電常數(shù)測(cè)試儀 產(chǎn)品型號(hào)：GDAT-A所在地：北京 參考價(jià)：面議
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詳細(xì)摘要：介電常數(shù)測(cè)試儀/介質(zhì)損耗因數(shù)和電容率測(cè)試儀的詳細(xì)描述： 電： / 介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀滿足標(biāo)準(zhǔn)：GBT1409-2006測(cè)量電氣絕緣材料在工頻,、音頻、高頻（包括米波波長(zhǎng)在內(nèi)）下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的推薦方法 概述 A型高頻Q表和C型高頻Q表主要區(qū)別 AC 測(cè)試頻率范圍25kHz～60MHz100kHz～160MHz 產(chǎn)品型號(hào)：GDAT-A所在地：北京 參考價(jià)：面議
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詳細(xì)摘要：固體材料介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀 產(chǎn)品型號(hào)：GDAT-A所在地：北京 參考價(jià)：面議
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詳細(xì)摘要：材料介電常數(shù)測(cè)定儀 產(chǎn)品型號(hào)：GDAT-A所在地：北京 參考價(jià)：面議
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詳細(xì)摘要：介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀主要技術(shù)指標(biāo)： 2.1 tanδ和ε性能： 2.1.1 固體絕緣材料測(cè)試頻率10kHz～120MHz的tanδ和ε變化的測(cè)試,。 2.1.2 tanδ和ε測(cè)量范圍： tanδ：0.1～0.00005,，ε：1～50 2.1.3 tanδ和ε測(cè)量精度（1MHz）： tanδ：±5%±0.00005，ε：±2% 工作頻率范圍：50kHz～50MHz 四位數(shù)顯,，壓控振蕩器 Q值 產(chǎn)品型號(hào)：GDAT-A所在地：北京 參考價(jià)：面議
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詳細(xì)摘要：介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀電感器： 按測(cè)試頻率要求,，需要配置不同量的電感器。 例如：在1MHz測(cè)試頻率時(shí),，要配250µH電感器,，在50MHz測(cè)試頻率時(shí)，要配0.1µH電感器等,。 高頻介質(zhì)樣品（選購件）： 在現(xiàn)行高頻介質(zhì)材料檢定系統(tǒng)中,，檢定部門為高頻介質(zhì)損耗測(cè)量?jī)x提供的測(cè)量標(biāo)準(zhǔn)是高頻標(biāo)準(zhǔn)介質(zhì)樣品。 該樣品由人工藍(lán)寶石,，石英玻璃,，氧化鋁陶瓷，聚四氟乙烯,，環(huán)氧板等材料做成Φ50mm,，厚1～2mm測(cè)試樣品。 產(chǎn)品型號(hào)：GDAT-A所在地：北京 參考價(jià)：面議
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詳細(xì)摘要：儀器滿足標(biāo)準(zhǔn)GB/T 1409-2006 測(cè)量電氣絕緣材料在工頻,、音頻,、高頻（包括米波波長(zhǎng)在內(nèi)）下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的推薦方法,。適用于測(cè)定熱塑性,、熱固性塑料在1MHz條件下的電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)。 2.高頻電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)測(cè)試系統(tǒng)構(gòu)成 2.1.概述：高頻電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)測(cè)試系統(tǒng)由S916測(cè)試裝置（夾具）,、GDAT型高頻Q表,、數(shù)據(jù)采集和tanδ自動(dòng)測(cè)量控件（裝入GDAT)、及LKI-1型電 產(chǎn)品型號(hào)：GDAT-A所在地：北京 參考價(jià)：面議
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詳細(xì)摘要：五.注意事項(xiàng)： 1．測(cè)試裝置使用結(jié)束后,，請(qǐng)及時(shí)關(guān)閉液晶顯示屏的電源,，可延長(zhǎng)電池的壽命。如果電池發(fā)出電壓低報(bào)警,，應(yīng)及時(shí)更換電池保證測(cè)量的精度,。電池更換位置位于液晶顯示屏的被面十字蓋冒下。用工具將十字蓋冒逆時(shí)針旋轉(zhuǎn)約45°,，既可取下十字蓋冒,，更換電池。 2．本測(cè)試裝置是由精密機(jī)械構(gòu)件組成的測(cè)微設(shè)備,，所以在使用和保存時(shí)要避免振動(dòng)和碰撞,，要求在不含腐蝕氣體和干燥的環(huán)境中使用和保存，用戶不能自行拆裝,，否 產(chǎn)品型號(hào)：GDAT-A所在地：北京 參考價(jià)：面議
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詳細(xì)摘要：使用方法 高頻Q表是多用途的阻抗測(cè)量?jī)x器,，為了提高測(cè)量精度，除了使Q表測(cè)試回路本身殘余參量盡可能地小,，使耦合回路的頻響盡可能地好之外，還要掌握正確的測(cè)試方法和殘余參數(shù)修正方法,。 1．測(cè)試注意事項(xiàng) a．本儀器應(yīng)水平安放,； b．如果你需要較精確地測(cè)量，請(qǐng)接通電源后,，預(yù)熱30分鐘,； c．調(diào)節(jié)主調(diào)電容或主調(diào)電容數(shù)碼開關(guān)時(shí)，當(dāng)接近諧振點(diǎn)時(shí)請(qǐng)緩調(diào),； d．被測(cè)件和測(cè)試電路接線柱間的接線應(yīng)盡量短,，足夠粗，并應(yīng)接 產(chǎn)品型號(hào)：GDAT-A所在地：北京 參考價(jià)：面議
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詳細(xì)摘要：高頻介質(zhì)損耗測(cè)試系統(tǒng)由916測(cè)試裝置（夾具）,、GDAT型高頻Q表,、數(shù)據(jù)采集和tanδ自動(dòng)測(cè)量控件（裝入GDAT)、及LKI-1型電感器組成，它依據(jù)國(guó)標(biāo)GB/T 1409-2006,、美標(biāo)ASTM D150以及電工委員會(huì)IEC60250的規(guī)定設(shè)計(jì)制作,。系統(tǒng)提供了絕緣材料的高頻介質(zhì)損耗角正切值(tanδ)和介電常數(shù)(ε)自動(dòng)測(cè)量的Z佳解決方案。 產(chǎn)品型號(hào)：GDAT-A所在地：北京 參考價(jià)：面議
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詳細(xì)摘要：能在較高的測(cè)試頻率條件下,，測(cè)量高頻電感或諧振回路的Q值，電感器的電感量和分布電容量,，電容器的電容量和損耗角正切值,，電工材料的高頻介質(zhì)損耗，高頻回路有效并聯(lián)及串聯(lián)電阻,，傳輸線的特性阻抗等,。該儀器廣泛地用于科研機(jī)關(guān)、學(xué)校,、工廠等單位,。 A/C高頻Q表是北廣精儀儀器設(shè)備有限公司Z 新研制的產(chǎn)品，它以DDS數(shù)字直接合成方式產(chǎn)生信號(hào)源,，頻率達(dá) 60MHz/160MHz,，信號(hào)源具有信號(hào)失真小、頻率精確,、信號(hào)幅 產(chǎn)品型號(hào)：GDAT-A所在地：北京 參考價(jià)：面議
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北京北廣精儀儀器設(shè)備有限公司主營(yíng)產(chǎn)品：絕緣強(qiáng)度耐電壓擊穿試驗(yàn)儀-高壓電橋法介電常數(shù)測(cè)試儀-高電壓擊穿強(qiáng)度試驗(yàn)儀
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