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介電常數(shù)和介質(zhì)損耗測(cè)定儀
| 參考價(jià) | 面議 |
- 型號(hào) GDAT-A
- 品牌
- 廠(chǎng)商性質(zhì) 生產(chǎn)商
- 所在地 北京市
更新時(shí)間：2024-08-13 18:08:34瀏覽次數(shù)：1483
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2.高頻電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)測(cè)試系統(tǒng)構(gòu)成
2.1.概述：高頻電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)測(cè)試系統(tǒng)由S916測(cè)試裝置（夾具）,、GDAT型高頻Q表,、數(shù)據(jù)采集和tanδ自動(dòng)測(cè)量控件（裝入GDAT)、及LKI-1型電
介電常數(shù)測(cè)試儀由高頻阻抗分析儀,、測(cè)試裝置,，標(biāo)準(zhǔn)介質(zhì)樣品組成，能對(duì)絕緣材料進(jìn)行 高低頻介電常數(shù)(ε)和介質(zhì)損耗角(D或tanδ) 的測(cè)試,。它符合國(guó)標(biāo)GB/T 1409-2006,美標(biāo)ASTM D150以及 IEC60250規(guī)范要求,。 介電常數(shù)測(cè)試儀工作頻率范圍是20Hz～60MHz,它能完成工作頻率內(nèi)對(duì)絕緣材料的相對(duì)介 電常數(shù)(ε)和介質(zhì)損耗角 (D或tanδ)變化的測(cè)試。 系列中測(cè)試裝置是由平板電容器組成,，平板電容器一般用來(lái)夾被測(cè)樣品,，配用高頻阻抗分析 儀作為指示儀器。絕緣材料的介電常數(shù)和損耗值是通過(guò)被測(cè)樣品放入平板電容器和不放樣品的D值(損耗 值)變化和Cp（電容值）讀數(shù)通過(guò)公式計(jì)算得到,。 1 特點(diǎn)： |
◎ 高頻阻抗分析儀電容值Cp分辨率0.00001pF和6位D值顯示,，保證了ε和D值精度和重復(fù)性。
◎ 介電常數(shù)測(cè)量范圍可達(dá)1～105
2 主要技術(shù)指標(biāo)：
2.1 ε和D性能：
2.1.1 固體絕緣材料測(cè)試頻率20Hz～1MHz的ε和D變化的測(cè)試,。
2.1.2 ε和D測(cè)量范圍：ε：1～105,，D：0.1～0.00005，
2.1.3 ε和D測(cè)量精度（10kHz）：ε：±2% ,， D：±5%±0.0001,。
2.2高頻阻抗分析儀和數(shù)字電橋
| 項(xiàng)目 | 參數(shù) |
工作頻率范圍 | 20Hz～60MHz 數(shù)字合成，精度：±0.02% |
電容測(cè)量范圍 | 0.00001pF～9.99999F 六位數(shù)顯 |
電容測(cè)量基本誤差 | ±0.05% |
損耗因素D值范圍 | 0.00001～9.99999 六位數(shù)顯 |
儀器滿(mǎn)足標(biāo)準(zhǔn)GB/T 1409-2006 測(cè)量電氣絕緣材料在工頻,、音頻,、高頻（包括米波波長(zhǎng)在內(nèi)）下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的推薦方法。適用于測(cè)定熱塑性,、熱固性塑料在1MHz條件下的電容率和介質(zhì)損耗因數(shù),。
2.高頻電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)測(cè)試系統(tǒng)構(gòu)成
2.1.概述：高頻電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)測(cè)試系統(tǒng)由S916測(cè)試裝置（夾具）、GDAT型高頻Q表,、數(shù)據(jù)采集和tanδ自動(dòng)測(cè)量控件（裝入GDAT),、及LKI-1型電感器組成,，它依據(jù)國(guó)標(biāo)GB/T 1409-2006、美標(biāo)ASTM D150以及電工委員會(huì)IEC60250的規(guī)定設(shè)計(jì)制作,。
2.2．《BH916介質(zhì)損耗裝置》(測(cè)試夾具)是測(cè)試系統(tǒng)的核心檢測(cè)部件,，它由一個(gè)LCD數(shù)字顯示的微測(cè)量裝置和一對(duì)經(jīng)精密加工的、間距可調(diào)的平板電容器極片組成,。平板電容器極片用于夾持被測(cè)材料樣品,，微測(cè)量裝置則顯示被測(cè)材料樣品的厚度。通過(guò)被測(cè)材料樣品放進(jìn)平板電容器和不放進(jìn)樣品時(shí)的Q值變化的量化,，測(cè)得絕緣材料的損耗角正切值,。從平板電容器平板間距的讀值變化則可換算得到絕緣材料介電常數(shù)。BH916介質(zhì)損耗測(cè)試裝置是本公司研制的更新?lián)Q代產(chǎn)品,，精密的加工設(shè)計(jì),、精確的LCD數(shù)字讀出、一鍵式清零功能,，克服了機(jī)械刻度讀數(shù)誤差和圓筒形電容裝置不可避免的測(cè)量誤差,。
2.3．基于串聯(lián)諧振原理的《GDAT高頻Q表》是測(cè)試系統(tǒng)的二次儀表，其數(shù)碼化主調(diào)電容器的創(chuàng)新設(shè)計(jì)代表了行業(yè)的zui高成就,，隨之帶來(lái)了頻率,、電容雙掃描GDAT的全新搜索功能。該表具有*人機(jī)界面,，采用LCD液晶屏顯示各測(cè)量因子：Q值,、電感L、主調(diào)電容器C,、測(cè)試頻率F,、諧振趨勢(shì)指針等。高頻信源采用直接數(shù)字合成,測(cè)試頻率10KHz-60MH或200KHz-160MHz,，頻率精度高達(dá)1×10-6。國(guó)標(biāo)GB/T 1409-2006規(guī)定了用Q表法來(lái)測(cè)定電工材料高頻介質(zhì)損耗角正切值(tanδ)和介電常數(shù)(ε),，把被測(cè)材料作為平板電容的介質(zhì),，與輔助電感等構(gòu)成串聯(lián)諧振因子引入Q表的測(cè)試回路，以獲取zui高的測(cè)試靈敏度,。因而Q表法的測(cè)試結(jié)果更真實(shí)地反映了介質(zhì)在高頻工作狀態(tài)下的特征,。
GDAT高頻Q表的全數(shù)字化界面和微機(jī)控制使讀數(shù)清晰穩(wěn)定、操作簡(jiǎn)便,。操作者能在任意點(diǎn)頻率或電容值的條件下檢測(cè)Q值甚至tanδ,，無(wú)須關(guān)注量程和換算，*摒棄了傳統(tǒng)Q表依賴(lài)面板上印制的輔助表格操作的落后狀況,，它無(wú)疑是電工材料高頻介質(zhì)損耗角正切值(tanδ)和介電常數(shù)(ε)測(cè)量的理想工具,。
2.4．?dāng)?shù)據(jù)采集和tanδ自動(dòng)測(cè)量控件（裝入GDAT)，實(shí)現(xiàn)了數(shù)據(jù)采集、數(shù)據(jù)分析和計(jì)算的微處理化,，tanδ 測(cè)量結(jié)果的獲得無(wú)須繁瑣的人工處理,，可提高數(shù)據(jù)的精確度和測(cè)量的同一性。
2.5．在系統(tǒng)中高品質(zhì)因數(shù)（Q)的電感器與平板電容（BH916）構(gòu)成了基于串聯(lián)諧振的測(cè)試回路,。本技術(shù)協(xié)議的系統(tǒng)電感器為L(zhǎng)KI-1電感組共由9個(gè)高性能電感器組成,，以適配不同的檢測(cè)頻率。
2.6.介質(zhì)損耗測(cè)試系統(tǒng)主要性能參數(shù)
BH916測(cè)試裝置： GDAT高頻Q表：
平板電容極片 Φ50mm 可選頻率范圍20KHz-60MHz
間距可調(diào)范圍≥15mm 頻率指示誤差3×10-5±1個(gè)字
夾具插頭間距25mm±0.01mm 主電容調(diào)節(jié)范圍30-500
測(cè)微桿分辨率0.001mm 主調(diào)電容誤差<1%或1pF
夾具損耗角正切值≦4×10-4 （1MHz) Q測(cè)試范圍2～1023
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