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詳細(xì)摘要：基本原理是采用高頻諧振法,，并提供了,，通用、多用途,、多量程的阻抗測(cè)試。 產(chǎn)品型號(hào)：所在地：北京市海淀區(qū) 參考價(jià)：面議
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詳細(xì)摘要：它符合國(guó)標(biāo)GB/T 1409-2006,GB/T 1693-2007,美標(biāo)ASTM D150以及IEC60250規(guī)范要求,。 產(chǎn)品型號(hào)：所在地：北京市海淀區(qū) 參考價(jià)：面議
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詳細(xì)摘要：介電常數(shù)測(cè)試儀是一種多功能,、多用途、多量程數(shù)字化阻抗測(cè)試儀器,。它是根據(jù)串聯(lián)諧振原理,，以電壓比值刻度Q值的。 產(chǎn)品型號(hào)：所在地：北京市海淀區(qū) 參考價(jià)：面議
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詳細(xì)摘要：c類(lèi)數(shù)顯Q表工作頻率范圍是10kHz～60MHz,是一種多功能,、多用途,、多量程數(shù)字化阻抗測(cè)試儀器。它是根據(jù)串聯(lián)諧振原理,，以電壓比值刻度Q值的,。它能測(cè)量高頻電感器的Q值，電感量和分布電容量,；電容器的電容量和損耗角,。配以?shī)A具BH916介質(zhì)損耗裝置還能對(duì)固態(tài)絕緣材料的高頻介質(zhì)損耗（tanδ）和介電常數(shù)(ε)，高頻回路有效并聯(lián)及串聯(lián)電阻,，傳輸線的特性阻抗等進(jìn)行測(cè)試,。 產(chǎn)品型號(hào)：所在地：北京市海淀區(qū) 參考價(jià)：面議
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詳細(xì)摘要：介電常數(shù)測(cè)試儀符合國(guó)標(biāo)GB/T 1409-2006,GB/T 1693-2007,美標(biāo)ASTM D150以及IEC60250規(guī)范要求。 產(chǎn)品型號(hào)：所在地：北京市海淀區(qū) 參考價(jià)：面議
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詳細(xì)摘要：本公司創(chuàng)新的自動(dòng)Q值讀取技術(shù)，使測(cè)Q分辨率至0.1Q,。 DPLL合成發(fā)生1kHz～70MHz,測(cè)試信號(hào),。 低至20nH殘余電感，保證高頻時(shí)直讀Q值的誤差較小,。 特制LCD屏菜單式顯示多參數(shù)：Q值,，測(cè)試頻率，調(diào)諧狀態(tài)等,。 Q值量程自動(dòng)/手動(dòng)量程控制,。 數(shù)字化Q值預(yù)置，能提高批量測(cè)試的可靠性和速度,。 產(chǎn)品型號(hào)：所在地： 參考價(jià)：面議
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詳細(xì)摘要：介電常數(shù)測(cè)試儀 產(chǎn)品型號(hào)：所在地：北京市海淀區(qū) 參考價(jià)：面議
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詳細(xì)摘要：c類(lèi)數(shù)顯Q表工作頻率范圍是10kHz～60MHz,是一種多功能,、多用途、多量程數(shù)字化阻抗測(cè)試儀器,。它是根據(jù)串聯(lián)諧振原理,，以電壓比值刻度Q值的。它能測(cè)量高頻電感器的Q值,，電感量和分布電容量,；電容器的電容量和損耗角。配以?shī)A具BH916介質(zhì)損耗裝置還能對(duì)固態(tài)絕緣材料的高頻介質(zhì)損耗（tanδ）和介電常數(shù)(ε),，高頻回路有效并聯(lián)及串聯(lián)電阻,，傳輸線的特性阻抗等進(jìn)行測(cè)試。 產(chǎn)品型號(hào)：所在地：北京市海淀區(qū) 參考價(jià)：面議
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詳細(xì)摘要：c類(lèi)數(shù)顯Q表工作頻率范圍是10kHz～60MHz,是一種多功能,、多用途,、多量程數(shù)字化阻抗測(cè)試儀器。它是根據(jù)串聯(lián)諧振原理,，以電壓比值刻度Q值的,。它能測(cè)量高頻電感器的Q值，電感量和分布電容量,；電容器的電容量和損耗角,。 產(chǎn)品型號(hào)：所在地：介電常數(shù)測(cè)試儀 參考價(jià)：面議
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詳細(xì)摘要：c類(lèi)數(shù)顯Q表工作頻率范圍是10kHz～60MHz,是一種多功能、多用途,、多量程數(shù)字化阻抗測(cè)試儀器,。它是根據(jù)串聯(lián)諧振原理，以電壓比值刻度Q值的,。它能測(cè)量高頻電感器的Q值,，電感量和分布電容量；電容器的電容量和損耗角,。配以?shī)A具BH916介質(zhì)損耗裝置還能對(duì)固態(tài)絕緣材料的高頻介質(zhì)損耗（tanδ）和介電常數(shù)(ε)，高頻回路有效并聯(lián)及串聯(lián)電阻，傳輸線的特性阻抗等進(jìn)行測(cè)試,。 產(chǎn)品型號(hào)：所在地：北京市海淀區(qū) 參考價(jià)：面議
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詳細(xì)摘要：介質(zhì)損耗角正切及介電常數(shù)測(cè)試儀 產(chǎn)品型號(hào)：所在地：北京市海淀區(qū) 參考價(jià)：面議
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詳細(xì)摘要：滿(mǎn)足標(biāo)準(zhǔn)：GBT 1409-2006 測(cè)量電氣絕緣材料在工頻,、音頻、高頻（包括米波波長(zhǎng)在內(nèi)）下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的推薦方法 產(chǎn)品型號(hào)：GDAT-C所在地：北京市海淀區(qū) 參考價(jià)：面議
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詳細(xì)摘要：GDAT高頻Q表的全數(shù)字化界面和微機(jī)控制使讀數(shù)清晰穩(wěn)定,、操作簡(jiǎn)便,。操作者能在任意點(diǎn)頻率或電容值的條件下檢測(cè)Q值甚至tanδ，無(wú)須關(guān)注量程和換算,，*摒棄了傳統(tǒng)Q表依賴(lài)面板上印制的輔助表格操作的落后狀況,，它無(wú)疑是電工材料高頻介質(zhì)損耗角正切值(tanδ)和介電常數(shù)(ε)測(cè)量的理想工具。 產(chǎn)品型號(hào)：所在地：北京市海淀區(qū) 參考價(jià)：面議
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詳細(xì)摘要：滿(mǎn)足標(biāo)準(zhǔn)：GBT 1409-2006 測(cè)量電氣絕緣材料在工頻,、音頻,、高頻（包括米波波長(zhǎng)在內(nèi)）下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的推薦方法 產(chǎn)品型號(hào)：所在地：北京市海淀區(qū) 參考價(jià)：面議
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詳細(xì)摘要：滿(mǎn)足標(biāo)準(zhǔn)：GBT 1409-2006 測(cè)量電氣絕緣材料在工頻、音頻,、高頻（包括米波波長(zhǎng)在內(nèi)）下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的推薦方法,。 產(chǎn)品型號(hào)：所在地：北京市海淀區(qū) 參考價(jià)：面議
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詳細(xì)摘要：介質(zhì)損耗和介電常數(shù)是各種電瓷、裝置瓷,、電容器等陶瓷,，還有復(fù)合材料等的一項(xiàng)重要的物理性質(zhì)，通過(guò)測(cè)定介質(zhì)損耗角正切tanδ及介電常數(shù)（ε）,，可進(jìn)一步了解影響介質(zhì)損耗和介電常數(shù)的各種因素,，為提高材料的性能提供依據(jù)；儀器的基本原理是采用高頻諧振法,，并提供了,，通用、多用途,、多量程的阻抗測(cè)試,。 產(chǎn)品型號(hào)：所在地：北京市海淀區(qū) 參考價(jià)：面議
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詳細(xì)摘要：本臺(tái)儀器可測(cè)試固體材料、液體材料,，高頻介電常數(shù),，低頻介電常數(shù)，工頻介電常數(shù),，如果您想了解更多請(qǐng)咨詢(xún),。謝謝 產(chǎn)品型號(hào)：所在地：北京市海淀區(qū)建材城西路 參考價(jià)：面議
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詳細(xì)摘要：介質(zhì)損耗和介電常數(shù)是各種電瓷、裝置瓷,、電容器等陶瓷,，還有復(fù)合材料等的一項(xiàng)重要的 物理性質(zhì)，通過(guò)測(cè)定介質(zhì)損耗角正切tanδ及介電常數(shù)（ε）,，可進(jìn)一步了解影響介質(zhì)損耗 和介電常數(shù)的各種因素,，為提高材料的性能提供依據(jù),；儀器的基本原理是采用高頻諧振法， 并提供了,，通用,、多用途、多量程的阻抗測(cè)試,。 產(chǎn)品型號(hào)：gdat-c所在地：北京市海淀區(qū) 參考價(jià)：面議
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詳細(xì)摘要：介質(zhì)損耗和介電常數(shù)是各種電瓷,、裝置瓷、電容器等陶瓷,，還有復(fù)合材料等的一項(xiàng)重要的 物理性質(zhì),，通過(guò)測(cè)定介質(zhì)損耗角正切tanδ及介電常數(shù)（ε），可進(jìn)一步了解影響介質(zhì)損耗 和介電常數(shù)的各種因素,，為提高材料的性能提供依據(jù),；儀器的基本原理是采用高頻諧振法， 并提供了,，通用,、多用途、多量程的阻抗測(cè)試,。 產(chǎn)品型號(hào)：所在地：北京市海淀區(qū) 參考價(jià)：面議
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詳細(xì)摘要：我公司專(zhuān)業(yè)生產(chǎn)介電常數(shù)測(cè)試儀,，如需請(qǐng)致電詳談。 產(chǎn)品型號(hào)：所在地：北京市海淀區(qū) 參考價(jià)：面議
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北京北廣精儀儀器設(shè)備有限公司主營(yíng)產(chǎn)品：絕緣強(qiáng)度耐電壓擊穿試驗(yàn)儀-高壓電橋法介電常數(shù)測(cè)試儀-高電壓擊穿強(qiáng)度試驗(yàn)儀
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