防爆型高低溫試驗(yàn)箱用途介紹

防爆高低溫試驗(yàn)箱適用于汽配廠,、電池廠,、新能源動力公司、軍工單位,、高等院校研發(fā)機(jī)構(gòu)等單位,。考核和確定鎳鎘電池,、鎳氫電池,、鋰離子電池、鉛蓄電池,、鋰電池,、動力電池、電池組模塊,、特種材料,、兵器戰(zhàn)斗部、密閉特種器具,、易爆易燃等產(chǎn)品做耐高溫,、耐低溫、高低溫交變,、冷熱循環(huán),、高低溫恒定等各種氣候環(huán)境條件下貯存和使用的適應(yīng)性試驗(yàn)或?qū)嶒?yàn),。

防爆型高低溫試驗(yàn)箱技術(shù)參數(shù)

1.溫度范圍: -20℃～＋150℃；-40℃～＋150℃,；-60℃～＋150℃,；-70℃～＋150℃。

2.濕度范圍：20%～98%R.H,。（可選5%～98%R.H或10%～98%R.H）,。

3.內(nèi)箱承受壓力：0.4Mpa（4kg）。

4.防爆箱泄壓能力：4kg/min,。

5.泄壓口：Φ10cm,。

6.溫度波動度: ±0.5℃。

7.溫度均勻度: ±2.0℃,。

8.濕度波動度：±1.5%R.H,。

9.濕度均勻度：±2.0%R.H.。

10.溫度升溫速率：3.0℃～4.0℃/min,。（可定制快速溫變5℃～25℃/min機(jī)型）

11.溫度降溫速率：0.7℃～1.0℃/min,。（可定制快速溫變5℃～25℃/min機(jī)型）

12.低溫極限: -70℃。

13.高溫極限: ＋150℃,。

14.升溫時間：-20-->+150℃≤60min ,；-40-->+150℃≤70min；-70-->+150℃≤80min,。

15.降溫時間：+20-->-20℃≤40min,；+20-->-40℃≤60min；+20-->-70℃≤80min,。

16.防爆高低溫試驗(yàn)箱型號及規(guī)格選擇如下：

 型 號          內(nèi)箱尺寸（mm）          外箱尺寸（mm）

ZK-GDFB -80L       W400×H500×D400        W1000×H1330×D850

ZK-GDFB-120L       W500×H600×D400        W1000×H1530×D850

ZK-GDFB-150L       W500×H600×D500        W1000×H1850×D950

ZK-GDFB-225L       W500×H750×D600        W1000×H1680×D1050

ZK-GDFB-408L       W600×H850×D800        W1100×H1780×D1250

ZK-GDFB-800L       W1000×H1000×D800       W1500×H1930×D1250

ZK-GDFB-1000L      W1000×H1000×D1000      W1500×H1930×D1450

根據(jù)客戶需求非標(biāo)定做......

防爆高低溫試驗(yàn)箱測試執(zhí)行與滿足標(biāo)準(zhǔn)

1. 防爆等級：Exd Ⅱ BT4,。

2. GJBl50.3(MIL-STD-810D) 高溫試驗(yàn)方法。

3. GJBl50.4(MIL-STD-810D) 低溫試驗(yàn)方法,。

4. GB/T10586-1989溫濕試驗(yàn)箱技術(shù)條件,。

5. GJB150.9-8溫濕試驗(yàn)。

6. B2423.34-86,、MIL-STD883C方法1004.2溫濕度組合回圈試驗(yàn),。

7. GJB/150A-2009.實(shí)驗(yàn)室環(huán)境試驗(yàn)方法第1部分。

8. GJB 150.3A-2009 軍用裝備實(shí)驗(yàn)室環(huán)境試驗(yàn)方法 第3部分：高溫試驗(yàn),。

9. GJB 150.4A-2009 軍用裝備實(shí)驗(yàn)室環(huán)境試驗(yàn)方法 第4部分：低溫試驗(yàn),。

10. GB/T 10592 -2008高低溫試驗(yàn)箱技術(shù)條件。

11. GB/T2423.4-93（MIL-STD810）方法507.2程序,。

12. GB/ T 2421-1991《電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 總則》,。

13. GB/T 5170.1-2008 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)設(shè)備檢驗(yàn)方法 總則,。

14. GB/2423.34-86.MIL-STD883（方法1004.2）高低溫組合循環(huán)試驗(yàn),。

15. GB/T 2423.1-2008 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分：試驗(yàn)方法試驗(yàn)A:低溫,。

16. GB/T 2423.2-2008 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分：試驗(yàn)方法試驗(yàn)B:高溫。

17. GB/T2423.1～2《電工電子產(chǎn)品的基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程試驗(yàn),。A：低溫試驗(yàn)方法,、試驗(yàn)B：高溫試驗(yàn)方法》。