一,、雙腔室高真空等離子體PEALD系統(tǒng)核心參數(shù)：  

價(jià)格區(qū)間：100萬(wàn)-200萬(wàn)  

產(chǎn)地類別：國(guó)產(chǎn)原子層沉積系統(tǒng)（ALD）  

襯底尺寸：Ф200mm  

工藝溫度：RT-500±1oC  

前驅(qū)體數(shù)：最大可包括3組等離子體反應(yīng)氣體4組液態(tài)或固態(tài)反應(yīng)前驅(qū)體  

重量：300KG  

尺寸(WxHxD)：1400*1000*1900mm  

均勻性：均一性<1%  

二,、雙腔室高真空等離子體ALD系統(tǒng)應(yīng)用原理分析：  

原子層沉積（Atomiclayerdeposition)是通過(guò)將氣相前驅(qū)體脈沖交替地通入反應(yīng)腔體內(nèi)并在沉積基體上化學(xué)吸附并反應(yīng)而形成沉積膜的一種技術(shù)，具有自限性和自飽和。原子層沉積技術(shù)主要應(yīng)用是在各種尺寸和形狀的基底上沉積高精度,、無(wú)針孔,、高保形的納米薄膜。  

等離子體增強(qiáng)原子層沉積(PlasmaEnhancedAtomicLayerDeposition,，PEALD)是對(duì)ALD技術(shù)的擴(kuò)展,，通過(guò)等離子體的引入，產(chǎn)生大量活性自由基,，增強(qiáng)了前驅(qū)體物質(zhì)的反應(yīng)活性,，從而拓展了ALD對(duì)前驅(qū)源的選擇范圍和應(yīng)用要求，縮短了反應(yīng)周期的時(shí)間,，同時(shí)也降低了對(duì)樣品沉積溫度的要求,，可以實(shí)現(xiàn)低溫甚至常溫沉積，特別適合于對(duì)溫度敏感材料和柔性材料上的薄膜沉積,。

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四,、主要技術(shù)參數(shù)：

五,、測(cè)試結(jié)果展示：