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產(chǎn)品展廳

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發(fā)布詢價(jià)單

化工儀器網(wǎng)>產(chǎn)品展廳>實(shí)驗(yàn)室常用設(shè)備>制樣/消解設(shè)備>電子束刻蝕系統(tǒng)>IH-860DSIC SiC用高溫離子注入設(shè)備 IH-860DSIC

IH-860DSIC SiC用高溫離子注入設(shè)備 IH-860DSIC

具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 公司名稱 北京亞科晨旭科技有限公司
  • 品牌
  • 型號(hào) IH-860DSIC
  • 產(chǎn)地 北京
  • 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)廠家
  • 更新時(shí)間 2024/9/25 13:40:00
  • 訪問(wèn)次數(shù) 1631

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公司自成立以來(lái)就一直專注于半導(dǎo)體、微組裝和電子裝配等領(lǐng)域的設(shè)備集成和技術(shù)服務(wù),;目前公司擁有一支在半導(dǎo)體制造,、微組裝及電子裝配等領(lǐng)域經(jīng)驗(yàn)豐富的專業(yè)技術(shù)團(tuán)隊(duì),專業(yè)服務(wù)于混合電路,、光電模塊,、MEMS、先進(jìn)封裝(TSV,、Fan-out等),、化合物半導(dǎo)體、微波器件,、功率器件,、紅外探測(cè)、聲波器件,、集成電路,、分立器件、微納等領(lǐng)域,。我們不僅能為客戶提供整套性能可靠的設(shè)備,,還能根據(jù)客戶的實(shí)際生產(chǎn)需求制訂可行的工藝技術(shù)方案。
目前亞科電子已與眾多微電子封裝和半導(dǎo)體制造設(shè)備企業(yè)建立了良好的合作關(guān)系(如:BRUKER,、EVG,、TRYMAX、CAMTEK、CENTROTHERM,、SENTECH,、ENGIS、ADT,、SONOSCAN,、ASYMTEK、MARCH,、PANASONIC,、HYBOND、OKI,、KEKO等),,為向客戶提供先進(jìn)的設(shè)備和專業(yè)的技術(shù)服務(wù)打下了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。

 

半導(dǎo)體設(shè)備,,微組裝設(shè)備,,LTCC設(shè)備,化工檢測(cè)設(shè)備

產(chǎn)地類別 進(jìn)口 價(jià)格區(qū)間 150萬(wàn)-200萬(wàn)
應(yīng)用領(lǐng)域 電子

離子注入設(shè)備

SiC用高溫離子注入設(shè)備 IH-860DSIC

 搭載了高溫ESC(靜電吸附卡盤)的面向SiC量產(chǎn)用的高能粒子注入裝置,。

產(chǎn)品特性 / Product characteristics

可實(shí)現(xiàn)自動(dòng)連續(xù)高溫處理注入

1價(jià)離子可注入至350keV,、2價(jià)離子可注入至700keV

       (Option:1價(jià)離子可注入至430keV、2價(jià)離子可注入至860keV)

通過(guò)Dual-End-Station(雙工位)實(shí)現(xiàn)高產(chǎn)能,;

       (A系4"高溫ESC/B系3"高溫ESC,、A系6"高溫ESC/B系6"常溫ESC等等,可配合客戶的希望就行規(guī)格配置)

可減輕操作員的負(fù)擔(dān)

•      緊湊式設(shè)計(jì)

可大范圍對(duì)應(yīng)從試作到量產(chǎn)的各類需求

 

產(chǎn)品應(yīng)用 / Product application

 對(duì)應(yīng)SiC的離子注入裝置,。

 

研究開(kāi)發(fā)用中電流離子注入設(shè)備IMX-3500

中電流離子注入裝置IMX-3500為大能量200keV,、對(duì)應(yīng)大晶圓尺寸8inch的離子注入裝置,適用于大學(xué)等機(jī)構(gòu)的研究開(kāi)發(fā),。

 

產(chǎn)品特性 / Product characteristics

•       大晶圓尺寸8inch,,搭載了可對(duì)應(yīng)不定形基板的臺(tái)板。

離子源,,除Gas source之外,,另外可以使用安全方面更容易處理的B、P,、As離子等固體蒸發(fā)源,。

HV terminal的部分,與量產(chǎn)裝置是同樣的構(gòu)成,,可確保高信賴性,。

產(chǎn)品應(yīng)用 / Product application

 •      教育、研究開(kāi)發(fā)等

 

高能對(duì)應(yīng)離子注入設(shè)備SOPHI-400

大可對(duì)應(yīng)至2400KeV的高能離子注入裝置,。

 

產(chǎn)品特性 / Product characteristics

枚葉式

可對(duì)應(yīng)薄片Wafer

平行Beam

產(chǎn)品應(yīng)用 / Product application

 •       功率器件相關(guān)薄片基板工藝,、IGBT工藝

可對(duì)應(yīng)低速高濃度的離子注入設(shè)備SOPHI-30

低加速,、高濃度對(duì)應(yīng)的離子注入設(shè)備。

 

產(chǎn)品特性 / Product characteristics

枚葉式

可對(duì)應(yīng)薄片

非質(zhì)量分離機(jī)的對(duì)比優(yōu)點(diǎn)

         1)對(duì)應(yīng)低加速.高濃度的好產(chǎn)能離子注入設(shè)備

         2)相比過(guò)去約一半的低價(jià)

         3)相比過(guò)往設(shè)備占用面積為1/3的緊湊型設(shè)計(jì)

產(chǎn)品應(yīng)用 / Product application

Power Device等薄片基板工藝,、IGBT工藝

產(chǎn)品參數(shù) / Product parameters

 • 基板尺寸:Max200mm



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