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一,、1,、樣品襯底在蒸鍍前可以通過離子槍進(jìn)行清潔,。2,、樣品臺(tái)的三維轉(zhuǎn)動(dòng)(平面內(nèi)和垂直于平面),。3、可以注入氣體(特別是氧氣),，并且可控制其壓強(qiáng),。4、蒸鍍厚度控制：頻率：10-4Hz,；沉積速度分辨率：0.001nm/s,；沉積厚度分辨率：0.01nm/s；沉積厚度可重復(fù)性：±1sxrate,。
二,、1、真空度<2x10-7Torr(可達(dá)到3.0×10-8Torr),。2,、電壓源型號(hào)ST6；電壓2-10kV可調(diào),，電子束流0-0.6A,。3、樣品臺(tái)可以適用于6英寸晶片,。4,、電子槍離子電壓:100-1000eV。
三,、直徑4英寸基片,，片內(nèi)均勻性優(yōu)于±3%，片間均勻性優(yōu)于±2%,，重復(fù)性優(yōu)于±2%,。
四、真空蒸發(fā)鍍膜是一種由物理方法產(chǎn)生薄膜材料的技術(shù),。該設(shè)備被廣泛應(yīng)用于在基底上制備均勻材料薄膜,，從而對(duì)基底表面進(jìn)行改性。系統(tǒng)的極限壓強(qiáng)可達(dá)≤2x10-7Torr;三組熱阻蒸發(fā)源;?可儲(chǔ)存100個(gè)工藝,，1000層,，50種薄膜;最大轉(zhuǎn)速可達(dá)20轉(zhuǎn)/分鐘;最高加熱溫度不低于350℃。
五,、蒸發(fā)鍍膜儀將蒸發(fā)材料放在坩堝內(nèi),，坩堝放置在高真空腔體中，通過高壓燈絲發(fā)射電子,，電子通過磁場(chǎng)偏轉(zhuǎn)轟擊到坩堝內(nèi)的蒸鍍材料表面,，對(duì)蒸鍍材料進(jìn)行加熱,，電子束蒸發(fā)源的能量可高度集中，使鍍膜材料局部達(dá)到高溫而蒸發(fā),，實(shí)現(xiàn)蒸發(fā)鍍膜,。根據(jù)不同材料的性質(zhì)分為固態(tài)升華和液態(tài)蒸發(fā)，整個(gè)蒸發(fā)過程是物理過程,，實(shí)現(xiàn)物質(zhì)從源到薄膜的轉(zhuǎn)移,。裝有蒸發(fā)材料的坩堝周圍有冷卻系統(tǒng)，避免坩堝內(nèi)壁與蒸發(fā)材料發(fā)生反應(yīng)影響薄膜質(zhì)量,。
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