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一、1,、樣品襯底在蒸鍍前可以通過離子槍進行清潔,。2、樣品臺的三維轉(zhuǎn)動(平面內(nèi)和垂直于平面),。3,、可以注入氣體(特別是氧氣),，并且可控制其壓強,。4,、蒸鍍厚度控制：頻率：10-4Hz；沉積速度分辨率：0.001nm/s,；沉積厚度分辨率：0.01nm/s,；沉積厚度可重復(fù)性：±1sxrate。
二,、1,、真空度<2x10-7Torr(可達到3.0×10-8Torr)。2,、電壓源型號ST6,；電壓2-10kV可調(diào)，電子束流0-0.6A,。3,、樣品臺可以適用于6英寸晶片。4,、電子槍離子電壓:100-1000eV。
三,、直徑4英寸基片,，片內(nèi)均勻性優(yōu)于±3%，片間均勻性優(yōu)于±2%,，重復(fù)性優(yōu)于±2%,。
四、真空蒸發(fā)鍍膜是一種由物理方法產(chǎn)生薄膜材料的技術(shù),。該設(shè)備被廣泛應(yīng)用于在基底上制備均勻材料薄膜,，從而對基底表面進行改性。系統(tǒng)的極限壓強可達≤2x10-7Torr;三組熱阻蒸發(fā)源;?可儲存100個工藝,，1000層,，50種薄膜;最大轉(zhuǎn)速可達20轉(zhuǎn)/分鐘;最高加熱溫度不低于350℃。
五,、蒸發(fā)鍍膜儀將蒸發(fā)材料放在坩堝內(nèi),，坩堝放置在高真空腔體中，通過高壓燈絲發(fā)射電子,，電子通過磁場偏轉(zhuǎn)轟擊到坩堝內(nèi)的蒸鍍材料表面,，對蒸鍍材料進行加熱，電子束蒸發(fā)源的能量可高度集中，使鍍膜材料局部達到高溫而蒸發(fā),，實現(xiàn)蒸發(fā)鍍膜,。根據(jù)不同材料的性質(zhì)分為固態(tài)升華和液態(tài)蒸發(fā)，整個蒸發(fā)過程是物理過程,，實現(xiàn)物質(zhì)從源到薄膜的轉(zhuǎn)移,。裝有蒸發(fā)材料的坩堝周圍有冷卻系統(tǒng)，避免坩堝內(nèi)壁與蒸發(fā)材料發(fā)生反應(yīng)影響薄膜質(zhì)量,。
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