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Hakuto 離子蝕刻機(jī) 7.5IBE 用于刻蝕硅微機(jī)械陀螺芯片

來(lái)源:伯東企業(yè)(上海)有限公司   2023年02月08日 10:44  

某芯片實(shí)驗(yàn)室為了解決芯片濕法刻蝕難以解決的橫向腐蝕問(wèn)題, 引進(jìn)伯東 Hakuto 離子蝕刻機(jī) 7.5IBE 用于刻蝕硅微機(jī)械陀螺芯片.

Hakuto 離子蝕刻機(jī) 7.5IBE 技術(shù)規(guī)格:

真空腔

1 set, 主體不銹鋼,水冷

基片尺寸

1 set, 4”/6”? Stage, 直接冷卻,

離子源

? 8cm 考夫曼離子源 KDC75

離子束入射角

0 Degree~± 90 Degree

極限真空

≦1x10-4 Pa

刻蝕性能

一致性: ≤±5% across 4”

 

該實(shí)驗(yàn)室采用的 Hakuto 離子刻蝕機(jī) 7.5IBE 的核心構(gòu)件離子源是配伯東公司代理美國(guó) 考夫曼博士創(chuàng)立的 KRI考夫曼公司的考夫曼離子源 KDC 75

伯東美國(guó) KRI 考夫曼離子源 KDC75 技術(shù)參數(shù):

 離子源型號(hào)

 離子源 KDC 75 

Discharge

DC 熱離子

離子束流

>250 mA

離子動(dòng)能

100-1200 V

柵極直徑

7.5 cm Φ

離子束

聚焦, 平行, 散射

流量

2-15 sccm

通氣

Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他

典型壓力

< 0.5m Torr

長(zhǎng)度

20.1 cm

直徑

14 cm

中和器

燈絲

* 可選: 一個(gè)陰極燈絲; 可調(diào)角度的支架

 

試驗(yàn)結(jié)果:

Hakuto 離子刻蝕機(jī) 7.5IBE 刻蝕出的芯片表面平整,、光滑,解決了濕法刻蝕難以解決的橫向腐蝕問(wèn)題,并提高了刻蝕速率。

 

若您需要進(jìn)一步的了解詳細(xì)產(chǎn)品信息或討論 , 請(qǐng)參考以下聯(lián)絡(luò)方式 :

上海伯東 : 羅先生   


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