Hakuto 離子蝕刻機(jī) 7.5IBE 用于刻蝕硅微機(jī)械陀螺芯片

來(lái)源：伯東企業(yè)（上海）有限公司 2023年02月08日 10:44

某芯片實(shí)驗(yàn)室為了解決芯片濕法刻蝕難以解決的橫向腐蝕問(wèn)題, 引進(jìn)伯東 Hakuto 離子蝕刻機(jī) 7.5IBE 用于刻蝕硅微機(jī)械陀螺芯片.

Hakuto 離子蝕刻機(jī) 7.5IBE 技術(shù)規(guī)格:

該實(shí)驗(yàn)室采用的 Hakuto 離子刻蝕機(jī) 7.5IBE 的核心構(gòu)件離子源是配伯東公司代理美國(guó) 考夫曼博士創(chuàng)立的 KRI考夫曼公司的考夫曼離子源 KDC 75

伯東美國(guó) KRI 考夫曼離子源 KDC75 技術(shù)參數(shù)：

* 可選: 一個(gè)陰極燈絲; 可調(diào)角度的支架

試驗(yàn)結(jié)果:

Hakuto 離子刻蝕機(jī) 7.5IBE 刻蝕出的芯片表面平整,、光滑,解決了濕法刻蝕難以解決的橫向腐蝕問(wèn)題,并提高了刻蝕速率。

若您需要進(jìn)一步的了解詳細(xì)產(chǎn)品信息或討論 , 請(qǐng)參考以下聯(lián)絡(luò)方式 :

上海伯東 : 羅先生

相關(guān)產(chǎn)品

凡本網(wǎng)注明“來(lái)源：化工儀器網(wǎng)”的所有作品,，均為浙江興旺寶明通網(wǎng)絡(luò)有限公司-化工儀器網(wǎng)合法擁有版權(quán)或有權(quán)使用的作品,，未經(jīng)本網(wǎng)授權(quán)不得轉(zhuǎn)載,、摘編或利用其它方式使用上述作品。已經(jīng)本網(wǎng)授權(quán)使用作品的,，應(yīng)在授權(quán)范圍內(nèi)使用,，并注明“來(lái)源：化工儀器網(wǎng)”。違反上述聲明者，本網(wǎng)將追究其相關(guān)法律責(zé)任,。
本網(wǎng)轉(zhuǎn)載并注明自其他來(lái)源（非化工儀器網(wǎng)）的作品,，目的在于傳遞更多信息，并不代表本網(wǎng)贊同其觀點(diǎn)和對(duì)其真實(shí)性負(fù)責(zé),，不承擔(dān)此類作品侵權(quán)行為的直接責(zé)任及連帶責(zé)任,。其他媒體、網(wǎng)站或個(gè)人從本網(wǎng)轉(zhuǎn)載時(shí),，必須保留本網(wǎng)注明的作品第一來(lái)源,，并自負(fù)版權(quán)等法律責(zé)任。
如涉及作品內(nèi)容,、版權(quán)等問(wèn)題,，請(qǐng)?jiān)谧髌钒l(fā)表之日起一周內(nèi)與本網(wǎng)聯(lián)系，否則視為放棄相關(guān)權(quán)利,。

聯(lián)系我們