全自動 大尺寸 光刻機
- 公司名稱 科睿設備有限公司
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- 廠商性質 代理商
- 更新時間 2025/2/27 11:01:18
- 訪問次數(shù) 651
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光刻機，鍍膜機,，磁控濺射鍍膜儀,，電子束蒸發(fā)鍍膜儀，開爾文探針系統(tǒng)(功函數(shù)測量),，氣溶膠設備,，氣溶膠粒徑譜儀，等離子增強氣相沉積系統(tǒng)(PECVD),，原子層沉積系統(tǒng)(ALD),，快速退火爐,，氣溶膠發(fā)生器，稀釋器,，濾料測試系統(tǒng)
全自動 大尺寸 光刻機
MIDAS SYSTEM公司開發(fā)并生產用于半導體,、MEMS、LED及納米技術相關的實驗室和工業(yè)領域的光罩對準曝光機和甩膠機,，是韓國*家研發(fā)并商業(yè)化光罩對準曝光機的企業(yè),，始終致力于不斷完善、增強技術型企業(yè)的核心競爭力,。
全自動 大尺寸 光刻機
MIDAS SYSTEM公司具有專業(yè)化的設計團隊,，以客戶需要為己任，生產,、供應滿足國內外企業(yè),、科研院所不斷增長的應用需求，并且提供半導體工藝相關的設備需要,。
MDA-12SA型曝光機是一款MIDAS公司新開發(fā)的產品,，代表了下一代全區(qū)域光刻系統(tǒng)。這一新型半自動化對準曝光平臺具有更高的重復光刻精度以及更可靠的操作,，非常適合陶瓷及其他探針卡應用,，同時MDA-12SA型半動化光罩對準曝光機具有更高的生產能力和容易操控。
| 項目 | 參數(shù) |
| 光源能量 | 紫外曝光光源光強2000～5000W,，輸出能量可控 |
| 光束范圍 | 14.25″× 14.25″ |
| 均勻光束范圍 | 13.25″× 13.25″ |
| 光束均勻性 | ＜3%～5% |
| 365nm輸出光束強度 | 5KW 25～60mW/cm2,，2 KW 15～30mW/cm2 |
| 400nm輸出光束強度 | 5KW 50～100mW/cm2，2 KW30～50mW/cm2 |
| 可調節(jié)曝光時間 | 0.1～999.9s |
| 范圍觀察 | 顯微鏡/CCD相機安裝（480～1000倍可變放大,1600倍可選） |
| 電動觀察范圍移動 | 顯微鏡x,、y,、z電動操作（手柄控制） |
| 電動樣品臺 | 樣品臺x、y,、z、Theta電動操作 |
| 卡盤移動 | 大范圍,。靜態(tài)對準工具模塊進行x,、y、z,、Theta移動 |
| 卡盤水平 | 楔形誤差補償（楔形位置自動感應,，壓力傳感器，警報） |
| 基片尺寸 | 直至14″× 14″ |
| 掩模板規(guī)格 | 可替換的直至15″× 15″ |
| 真空卡盤移動 | x,、y：10mm,；Theta：4× |
| Z向移動距離 | 10mm |
| 接觸模式 | 接近式、軟接觸式,、硬接觸式,、真空接觸式（真空接觸力可調節(jié)） |
| 接近調節(jié) | 1μm步進可調節(jié)程序化控制系統(tǒng) |
| 對準精度 | 1μm |
| 顯示器 | 17″觸屏 |
| 氣動控制 | 基片,、掩膜、接觸,、接觸調節(jié),、卡盤鎖、N2,、N2調節(jié) |
| 分辨率 | 1μm（真空接觸下近紫外） |
| 擺放 | 防震桌 |
| 選件 | CCD BSA,、DUV、紫外強度計 |
■ Auto Exposure / Alignment System
■ 2~6 inch wafer process
■ Interface between Aligner and Robot : RS-232C
■ Auto Loading and Unloading Using Double Robot Arm
■ Auto-Alignment with Vision System
■ Pre-Alignment and Automatic Positioning
■ Anti-Vibration Table
■ Dual CCD Auto zoom Microscope ? Variable Magnification : Max. 1400x
■ 17inch LCD touch monitor
■ Wedge Error Compensation
■ Throughput :Alignment : 120WPH PSS, First layer : 170WPH
| Item | Specification | |
| Exposure System | Lamp Power | 350W UV Lamp(OSRAM) |
| Resolution | 0.8um (Vacuum contact) | |
| Beam Uniformity | ≤ ± 5% (6inch standard) | |
| Intensity | 20~25mW/cm2:350~450nm | |
| Adjustable Exposure Time | 0.1 to 999.9 sec | |
| Alignment System | Alignment Accuracy | 1um |
| Alignment Gap | 20 to 200um | |
| Pre-Alignment Accuracy | ± 50um | |
| Process Mode | Vacuum, Hard, Soft Contact and Proximity | |
| *Proximity Gap is 20um to 200um | ||
| Proximity Adjustment | adjustable 1 micron increments Program Control System | |
| Throughput | >120 wafer/hour (Auto alignment) 170 wafer/hour (PSS, First layer) | |
| Sample | Substrate | 2 ~ 6 inch |
| Mask Size | 3 ~ 7 inch | |
| Utilities | Vacuum | > 650mmHg |
| CDA | > 6Kg/cm2 | |
| N2 | > 4Kg/cm2 | |
| Electricity | 220V, 30A, 1Phase | |
| Monitor | Touch LCD 17" Monitor |
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