中村現(xiàn)貨：日本ORC光刻系統(tǒng)EDi系列EDi-8310

中村現(xiàn)貨：日本ORC光刻系統(tǒng)EDi系列EDi-8310

兼容多種應(yīng)用：可兼容 WL-CSP、IGBT,、CIS 等 6/8/12 英寸光刻技術(shù),，適用于多種半導(dǎo)體制造場景。

寬頻譜光刻：具備寬帶曝光功能,，可根據(jù)配方自動切換 GHI 線,、GH 線、I 線,，滿足不同光刻工藝對波長的需求,。

可變數(shù)值孔徑：搭載可變 NA 功能，數(shù)值孔徑可在 0.16 和 0.1 之間變化,，能夠根據(jù)不同的光刻精度要求進(jìn)行調(diào)整,。

多場拼接設(shè)計：最多支持 8 場光罩設(shè)計格式，可實現(xiàn)較大面積的光刻圖案制作,。

光學(xué)系統(tǒng)保護(hù)：能保護(hù)光學(xué)元件免受周圍環(huán)境中的阻滯氣體和化學(xué)物質(zhì)的影響,，提高設(shè)備的穩(wěn)定性和使用壽命。

主要參數(shù)：晶圓尺寸為 6/8/12 英寸,，分辨率為 2.0μmL/s（2.0μm 抗蝕劑厚度）,，減速比為 1:1，字段大小為 52 毫米 ×33 毫米,，光罩尺寸為 6 寸,，疊加精度≦0.5 微米（|Ave|+3σ）,。

工作原理：利用特定光源發(fā)出的光,，通過具有圖形的光罩對涂有光刻膠的硅片進(jìn)行曝光，光刻膠見光后發(fā)生性質(zhì)變化,，從而將光罩上的圖形復(fù)印到硅片上,，使硅片具備電子線路圖的功能。

核心系統(tǒng)：光源系統(tǒng)：是光刻機(jī)的核心之一,，其波長直接決定光刻精度,。早期采用汞燈，如 g - line（436nm）和 i - line（365nm）,，可滿足 800 - 250nm 制程芯片生產(chǎn),。之后準(zhǔn)分子激光光源興起，如第三代光刻機(jī)用 248nm 的 KrF 準(zhǔn)分子激光,，可用于 180 - 130nm 工藝節(jié)點,；第四代用 193nm 的 ArF 準(zhǔn)分子激光，配合浸沒式技術(shù)、雙圖形技術(shù)等,，可應(yīng)用于 10nm 節(jié)點量產(chǎn),。目前的是采用 13.5nm 極紫外光（EUV）的第五代光刻機(jī)。

光刻物鏡系統(tǒng)：保證光源精準(zhǔn)成像在晶圓表面的關(guān)鍵組件,。隨著技術(shù)發(fā)展,，投影物鏡結(jié)構(gòu)更復(fù)雜、尺寸增大,，工作波長多處于紫外波段,，如 KrF（248nm）、ArF（193nm）和 EUV（13.5nm）,。

雙工作臺系統(tǒng)：由測量臺與曝光臺組成,，一個工作臺曝光時，另一個可進(jìn)行晶圓的裝載,、卸載和對準(zhǔn)等操作,，提高了光刻機(jī)的產(chǎn)能。