中村庫存：日本ORC光刻系統(tǒng)EDi系列EDi-8308

中村庫存：日本ORC光刻系統(tǒng)EDi系列EDi-8308

兼容多種應用：可兼容 WL-CSP、IGBT,、CIS 等 6/8/12 英寸光刻技術,，適用于多種半導體制造場景。

寬頻譜光刻：具備寬帶曝光功能,，可根據(jù)配方自動切換 GHI 線,、GH 線、I 線,，滿足不同光刻工藝對波長的需求,。

可變數(shù)值孔徑：搭載可變 NA 功能，數(shù)值孔徑可在 0.16 和 0.1 之間變化,，能夠根據(jù)不同的光刻精度要求進行調整,。

多場拼接設計：最多支持 8 場光罩設計格式，可實現(xiàn)較大面積的光刻圖案制作,。

光學系統(tǒng)保護：能保護光學元件免受周圍環(huán)境中的阻滯氣體和化學物質的影響,，提高設備的穩(wěn)定性和使用壽命。

主要參數(shù)：晶圓尺寸為 6/8/12 英寸,，分辨率為 2.0μmL/s（2.0μm 抗蝕劑厚度）,，減速比為 1:1，字段大小為 52 毫米 ×33 毫米,，光罩尺寸為 6 寸,，疊加精度≦0.5 微米（|Ave|+3σ）。

工作原理：利用特定光源發(fā)出的光,，通過具有圖形的光罩對涂有光刻膠的硅片進行曝光,，光刻膠見光后發(fā)生性質變化，從而將光罩上的圖形復印到硅片上,，使硅片具備電子線路圖的功能,。

核心系統(tǒng)：光源系統(tǒng)：是光刻機的核心之一，其波長直接決定光刻精度,。早期采用汞燈,，如 g - line（436nm）和 i - line（365nm）,，可滿足 800 - 250nm 制程芯片生產。之后準分子激光光源興起,，如第三代光刻機用 248nm 的 KrF 準分子激光,，可用于 180 - 130nm 工藝節(jié)點；第四代用 193nm 的 ArF 準分子激光,，配合浸沒式技術,、雙圖形技術等，可應用于 10nm 節(jié)點量產,。目前的是采用 13.5nm 極紫外光（EUV）的第五代光刻機,。

光刻物鏡系統(tǒng)：保證光源精準成像在晶圓表面的關鍵組件。隨著技術發(fā)展,，投影物鏡結構更復雜,、尺寸增大，工作波長多處于紫外波段,，如 KrF（248nm）,、ArF（193nm）和 EUV（13.5nm）。

雙工作臺系統(tǒng)：由測量臺與曝光臺組成,，一個工作臺曝光時,，另一個可進行晶圓的裝載、卸載和對準等操作,，提高了光刻機的產能,。