一、公司介紹

法國(guó)IBS公司（IBS INFORMATION）成立于1987年,，一直致力于離子注入領(lǐng)域的研發(fā),、設(shè)計(jì)制造與服務(wù)，并不斷升級(jí)和提高在該領(lǐng)域的技術(shù)水平,。

創(chuàng)始人是來(lái)自技術(shù)專家,，在其帶領(lǐng)下，整個(gè)技術(shù)團(tuán)隊(duì)對(duì)技術(shù)更新的熱忱與努力,，嚴(yán)謹(jǐn)?shù)驼{(diào)的作風(fēng)保證了設(shè)備的高質(zhì)量和穩(wěn)定性,。產(chǎn)品有多種型號(hào)包括低能注入、中束流注入和高能注入,，IBS更具有按照客戶要求設(shè)計(jì)定制的能力,。

二、IMC 200離子注入機(jī)技術(shù)指標(biāo)

應(yīng)用：主要用于半導(dǎo)體微電子襯底材料摻雜,，晶圓上注入B,、P、As等元素,，并且具備注入A1、H,、N,、He、Ar等其他元素功能,。

注入晶圓尺寸：6英寸,，兼容2-5英寸、不規(guī)則小片,，最小可注入1cm2的樣品,。

注入能量范圍：20-200KeV;可升級(jí)到最小3KeV或二價(jià)/三價(jià)離子，注入能量400/600Kev;

注入角度：0°、7°,，可通過(guò)手動(dòng)更換夾具的方式改變注入角度0°-45°

注入劑量范圍：1xE11 at/cm2至1xE18 at/cm2

注入均勻性：片間1o<1.0%(注入條件:1000A氧化層,，11B，注入能量100KeV,，注入劑量1xE14 at/cm2);

真空度：離子源:>2xE-6mbar(2xE-4Pa);

束流管:>7xE-7 mbar(7xE-5Pa);

靶室:>7xE-7 mbar(7xE-5Pa):

離子源真空系統(tǒng)初真空泵為化學(xué)干泵,，高真空泵為渦輪分子泵;束流管及終端真空系統(tǒng)初真空泵為干泵，高真空泵為冷泵,。

注入束流：11B單價(jià)離子:>600μA;

31P單價(jià)離子:>1500μA;

75As單價(jià)離子:>1500μA,。

(注入條件:6英寸晶圓，注入能量120KeV-200KeV),。

氣路系統(tǒng)：含5路氣體:BF3,、PH3、AsH3,、Ar及N2,，所有氣路系統(tǒng)都集成在機(jī)器里面能實(shí)時(shí)監(jiān)控離子源氣體消耗以及具備氣瓶終點(diǎn)探測(cè)技術(shù)。

軟件功能：包括但不限于:權(quán)限管理,、參數(shù)管理,、手動(dòng)控制、實(shí)時(shí)數(shù)據(jù),、數(shù)據(jù)記錄,、報(bào)警管理等。軟件可根據(jù)需求免費(fèi)更新升級(jí),。

三,、PULSION離子注入機(jī)技術(shù)指標(biāo)

優(yōu)勢(shì)：3D浸沒(méi)式離子注入，不受形狀,、大小,、表面狀態(tài)限制;可靠性高，氣體消耗量低,，易于維護(hù),，成本低;的脈沖等離子體配置和偏振技術(shù)，所需能量低,，電流輸入輸出能力高,，工藝穩(wěn)定性高，可以實(shí)現(xiàn)保形處理;能夠以較小的占地面積處理大型部件;工藝時(shí)間短:工藝時(shí)間與待注入的機(jī)械部件的大小無(wú)關(guān),，即使要求的注入量非常高;可按照用戶要求定制;有全自動(dòng),、工程和手動(dòng)模式，工程和手動(dòng)模式下可人為控制單步驟工藝;工藝可編輯,，參數(shù)可監(jiān)測(cè),、控制和記錄,，可查看報(bào)警歷史。

原理：把要處理的部件放在真空室中的夾具上,，并浸入待注入離子電離形成的高密度等離子體中,。當(dāng)夾具在脈沖電壓模式下被偏置到負(fù)電壓時(shí)，開(kāi)始注入,。

應(yīng)用：改善表面機(jī)械性能,，減少磨損、摩擦力和金屬疲勞;提高表面耐腐蝕,、耐化學(xué),、耐高溫性能;改變表面理化性能如表面能、粘附性等;

提高生物相容性;逸出功工程;加氫,，吸氣;

用于高級(jí)存儲(chǔ)器和硅基光電學(xué)的納米沉淀和納米結(jié)構(gòu)

加速電壓：1 kV-10kV

標(biāo)準(zhǔn)注入電流：5 mA-100 mA (N2)

標(biāo)準(zhǔn)注入時(shí)間：30 min -3 h

可注入選項(xiàng)：N,，C,O, Ar, H, He, F, Ge, Si...

注入部件尺寸：<400 mmx400 mmx200 mm

輻射：在任意外部屏蔽點(diǎn)10cm處，輻射值<0.6μSv/h1

注入劑量范圍：1xE14 at/cm2至1xE18 at/cm2

腔室idle氣壓：<5xE-6 mbar

設(shè)備尺寸：1.6x2.15x2.3m(標(biāo)準(zhǔn)型);2.15x2.15x2.3m(加大型)