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當(dāng)前位置:上海麥科威半導(dǎo)體技術(shù)有限公司>>離子注入機(jī)>> IMC-200離子注入機(jī)/法國IBS
產(chǎn)品型號(hào)IMC-200
品 牌其他品牌
廠商性質(zhì)代理商
所 在 地上海市
更新時(shí)間:2025-04-26 11:45:50瀏覽次數(shù):73次
聯(lián)系我時(shí),,請(qǐng)告知來自 化工儀器網(wǎng)尺寸 | 8寸 |
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等離子 中束流離子注入機(jī)產(chǎn)品介紹:
離子注入機(jī)由離子源、質(zhì)量分析器,、加速器,、四級(jí)透鏡、掃描系統(tǒng)和靶室組成,,可以根據(jù)實(shí)際需要省去次要部位,。離子源是離子注入機(jī)的主要部位,作用是把需要注入的元素氣態(tài)粒子電離成離子,,決定要注入離子的種類和束流強(qiáng)度,。離子源直流放電或高頻放電產(chǎn)生的電子作為轟擊粒子,當(dāng)外來電子的能量高于原子的電離電位時(shí),通過碰撞使元素發(fā)生電離,。碰撞后除了原始電子外,,還出現(xiàn)正電子和二次電子。正離子進(jìn)入質(zhì)量分析器選出需要的離子,,再經(jīng)過加速器獲得較高能量,,由四級(jí)透鏡聚焦后進(jìn)入靶室,進(jìn)行離子注入,。
離子注入機(jī)是集成電路制造前工序中的關(guān)鍵設(shè)備,,離子注入是對(duì)半導(dǎo)體表面附近區(qū)域進(jìn)行摻雜的技術(shù),其目的是改變半導(dǎo)體的載流子濃度和導(dǎo)電類型,。離子注入與常規(guī)熱摻雜工藝相比可對(duì)注入劑量,、注入角度、注入深度,、橫向擴(kuò)散等方面進(jìn)行精確的控制,,克服了常規(guī)工藝的限制,提高了電路的集成度,、開啟速度,、成品率和壽命,降低了成本和功耗,。離子注入機(jī)廣泛用于摻雜工藝,,可以滿足淺結(jié)、低溫和精確控制等要求,,已成為集成電路制造工藝中*的關(guān)鍵裝備,。
等離子 中束流離子注入機(jī)特點(diǎn):
?精確控制離子束流
?精確控制加速電壓
?占地小, 操作簡(jiǎn)單, 運(yùn)行成本低
?特別適合于研發(fā)應(yīng)用
?適用于4"~6"晶片,小可用于1*1cm2樣品(室溫)
?4"熱注入模式,,高溫度可達(dá)600度
?2個(gè)帶有蒸發(fā)器的Freeman離子源,,可使溫度達(dá)750度
?1個(gè)Bernas離子源
?非凡的鋁注入能力
?一個(gè)主氣箱,配有4個(gè)活性氣體管路,;一個(gè)副氣箱,,配有4個(gè)中性氣體管路
?高價(jià)樣品注入能力
?注入角0~15度
?IBS*的矢量掃描系統(tǒng)
?手動(dòng)裝載/卸載用于標(biāo)準(zhǔn)注入和熱注入,自動(dòng)25片cassette 裝載用于標(biāo)準(zhǔn)腔室
?遠(yuǎn)程操作控制接觸屏(5米鏈接線纜)
?輻射低于0.6usv/hour
工藝性能
?2~210keV
?束流:4"晶片100keV時(shí),,大于900uA (As, P), 大于450uA (B)
?劑量范圍:1*1011*1018~at/cm2
?片內(nèi)非均勻性:1s<=1%(帶有1000埃氧化層的4寸硅,,注B,100kev,,1*1014at/cm2
?片間均勻性:1s ≤ 1 %
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