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等離子刻蝕機(jī)2
  • 等離子刻蝕機(jī)2

更新時間:2024-11-19 21:00:07

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( 聯(lián)系我們,,請說明是在 化工儀器網(wǎng) 上看到的信息,,謝謝?。?/p>

簡要描述:RIE Etchlab 200等離子刻蝕機(jī)根據(jù)其模塊化設(shè)計(jì),,等離子蝕刻機(jī)Etchlab 200可升級為更大的真空泵組,,預(yù)真空室和更多的氣路,。

低成本效益高

RIE等離子蝕刻機(jī)Etchlab 200結(jié)合平行板等離子體源設(shè)計(jì)與直接置片。

升級擴(kuò)展性

根據(jù)其模塊化設(shè)計(jì),,等離子蝕刻機(jī)Etchlab 200可升級為更大的真空泵組,,預(yù)真空室和更多的氣路。

SENTECH控制軟件

等離子刻蝕機(jī)配備了用戶友好的強(qiáng)大軟件,,具有模擬圖形用戶界面,,參數(shù)窗口,工藝編輯窗口,,數(shù)據(jù)記錄和用戶管理,。


Etchlab 200 RIE等離子刻蝕機(jī)代表了直接置片家族,它結(jié)合了RIE的平行板電極設(shè)計(jì)和直接置片的成本效益設(shè)計(jì)的優(yōu)點(diǎn),。Etchlab 200的特征是簡單和快速的樣品加載,,從零件到直徑為200mm或300mm的晶片直接加載到電極或載片器上。靈活性,、模塊性和占地面積小是Etchlab 200 的設(shè)計(jì)特點(diǎn),。位于頂部電極和反應(yīng)腔體的診斷窗口可以方便地容納SENTECH激光干涉儀或OES和RGA系統(tǒng)。橢偏儀端口可用于SENTECH原位橢偏儀進(jìn)行原位監(jiān)測,。

Etchlab 200等離子蝕刻機(jī)可以配置成用于刻蝕直接加載的材料,,包括但不限于硅和硅化合物,化合物半導(dǎo)體,,介質(zhì)和金屬,。

Etchlab 200通過的SENTECH控制軟件操作,,使用遠(yuǎn)程現(xiàn)場總線技術(shù)和用戶友好的通用用戶界面。

RIE plasma etcher with loadlockRIE plasma etcher Etchlab 200-300 for 300 mm wafersSENTECH control software for plasma equipmentSilicon micostructures etched by SF6 / O2 chemistryDeep anisotropic etching of silica with CHF2 / H2 chemistryEtching of SiO2 on silicon with CHF3 / H2 chemistryEtching of microfluidc structures in silicon


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