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進(jìn)口深硅刻蝕介紹：

低損傷刻蝕：

由于離子能量低,，離子能量分布帶寬窄，因此可以用我們的等離子體刻蝕機(jī)SI 500進(jìn)行低損傷刻蝕和納米結(jié)構(gòu)的刻蝕,。

高速刻蝕：

對(duì)于具有高深寬比的高速硅基MEMS刻蝕,，光滑的側(cè)壁可以通過室溫下氣體切換工藝或低溫工藝即可很容易地實(shí)現(xiàn)。

深硅刻蝕特點(diǎn)：

三螺旋平行板天線(PTSA)等離子源是SENTECH等離子體工藝設(shè)備的屬性。PTSA源能生成具有高離子密度和低離子能量的均勻等離子體,。它具有高耦合效率和非常好的起輝性能,，非常適用于加工各種材料和結(jié)構(gòu)。

動(dòng)態(tài)溫度控制：

在等離子體刻蝕過程中,，襯底溫度的設(shè)定和穩(wěn)定性對(duì)于實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量蝕刻起著至關(guān)重要的作用,。動(dòng)態(tài)溫度控制的ICP襯底電極結(jié)合氦氣背冷和基板背面溫度傳感，可在-150°C至+400°C的廣泛溫度范圍內(nèi)提供了優(yōu)良的工藝條件,。

SI 500為研發(fā)和生產(chǎn)提供的電感耦合等離子體(ICP)工藝設(shè)備,。它基于ICP等離子體源PTSA，動(dòng)態(tài)溫度控制的襯底電極,，全自動(dòng)控制的真空系統(tǒng),，使用遠(yuǎn)程現(xiàn)場(chǎng)總線技術(shù)的的SETECH控制軟件和用于操作SI 500的用戶友好的通用接口。靈活性和模塊化是SI 500主要的設(shè)計(jì)特點(diǎn),。

SI 500 ICP等離子刻蝕機(jī),，可以用于加工各種各樣的襯底，從直徑高達(dá)200 mm的晶片到裝載在載片器上的零件,。單晶片預(yù)真空室保證穩(wěn)定的工藝條件,，并且切換工藝非常容易。

SI 500 ICP等離子刻蝕機(jī),，通過配置可用于刻蝕不同材料,，包括但不于例如三五族化合物半導(dǎo)體(GaAs, InP, GaN, InSb)，介質(zhì),，石英,，玻璃，硅和硅化合物(SiC, SiGe),還有金屬等,。

SENTECH提供用戶不同級(jí)別的自動(dòng)化程度,，從真空片盒載片到一個(gè)工藝腔室到六個(gè)工藝模塊端口，可用于不同的蝕刻和沉積工藝模塊組成多腔系統(tǒng),，目標(biāo)是高靈活性或高產(chǎn)量,。SI 500 ICP等離子刻蝕機(jī)也可用作多腔系統(tǒng)中的工藝模塊。