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FPD-PECVD 電漿輔助化學(xué)氣相沉積
  • FPD-PECVD 電漿輔助化學(xué)氣相沉積

更新時(shí)間：2024-11-19 21:00:07

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簡(jiǎn)要描述：FPD-PECVD 電漿輔助化學(xué)氣相沉積：隨著LCD面板和制造所需玻璃的尺寸的增加,，其制造設(shè)備也變得更大,，需要越來(lái)越大的設(shè)備投資,。SYSKEY針對(duì)中小尺寸的需求開(kāi)發(fā)串集的PECVD 設(shè)備,，提供非晶矽（a-Si），氧化矽（SiOx）,，氮氧化矽（SiON）,，氮化矽（SiNx）和多層膜沉積。

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FPD-PECVD 電漿輔助化學(xué)氣相沉積

隨著LCD面板和製造所需玻璃的尺寸的增加,，其製造設(shè)備也變得更大,，需要越來(lái)越大的設(shè)備投資。SYSKEY針對(duì)中小尺寸的需求開(kāi)發(fā)串集的PECVD 設(shè)備,，提供非晶矽（a-Si）,，氧化矽（SiOx），氮氧化矽（SiON）,，氮化矽（SiNx）和多層膜沉積,。

FPD-PECVD 電漿輔助化學(xué)氣相沉積

應(yīng)用領(lǐng)域

  • 非晶矽前驅(qū)物（a-Si）,。

  • 氮化矽 (SiNx)。

  • 氧化矽,，矽烷基(SiOx),。

  • 氧化矽，TEOS (SiOx),。


配置和優(yōu)點(diǎn)選件

  • 客製化基板尺寸為550 x 650 mm2(玻璃),。

  • 優(yōu)異的薄膜均勻度小於±3％。

  • 每個(gè)製程腔內(nèi)最多可加裝7組氣體管線,。

  • 遠(yuǎn)程電漿進(jìn)行腔體清潔,。

  • 穩(wěn)定的溫度控制，可將基板加熱到380°C,。

  • Cassette傳送站,。

  • TEOS沉積製程。

  • OES,、RGA或製程監(jiān)控的額外備用端口,。



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