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低真空化學(xué)氣相沉積設(shè)備

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更新時間：2024-11-19 21:00:07

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產(chǎn)品簡介詳細(xì)介紹

簡要描述：低真空化學(xué)氣相沉積設(shè)備是一種化學(xué)氣相沉積技術(shù),，利用熱能在基板表面上引發(fā)前驅(qū)氣體的反應(yīng),。表面的反應(yīng)是形成固化材料的原因,。

低真空化學(xué)氣相沉積設(shè)備（LPCVD）是一種化學(xué)氣相沉積技術(shù),，利用熱能在基板表面上引發(fā)前驅(qū)氣體的反應(yīng)。表面的反應(yīng)是形成固化材料的原因,。低真空用於減少氣相反應(yīng),，還可以提高整個基板的均勻性。除此之外,，該過程取決於溫度控制,，過程溫度越高,，維持性越好。與大氣壓下的傳統(tǒng)CVD製程相比,，LPCVD的優(yōu)勢在於：每批製程可裝載更多的晶圓（每批100-200個晶圓）,、晶圓內(nèi)的厚度均勻性得到了改善（<±3％），並且降低生產(chǎn)成本,。SYSKEY的系統(tǒng)可以精準(zhǔn)的控制製程氣體與監(jiān)控其數(shù)據(jù)(壓力,、載臺溫度)，並提供高品質(zhì)的薄膜,。

低真空化學(xué)氣相沉積設(shè)備參數(shù)

應(yīng)用領(lǐng)域	腔體
碳納米管和石墨烯的製程,。 SiOx、SiNx,、a-Si、DLC和其他薄膜製程,。熱退火,。擴(kuò)散製程。氧化製程,。	加熱爐配置：水平或垂直,，結(jié)合傳送機構(gòu)。
配置和優(yōu)點	選件
客製化的基板尺寸,，直徑可達(dá)8寸晶圓,。單載片或多載片。優(yōu)異的薄膜均勻度小於±5％,。精準(zhǔn)流量控制器,，氣體分佈高度均勻，最多可容納10條氣體管線,。穩(wěn)定的溫度控制,，可將載盤加熱至1700°C。	可以與傳送腔(單載臺或多載臺)整合在一起,。