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化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)
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更新時(shí)間:2024-11-19 21:00:07

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簡(jiǎn)要描述:化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)PECVD沉積設(shè)備SI 500 PPD便于在從室溫到350℃的溫度范圍內(nèi)進(jìn)行SiO2,、SiNx,、SiOxNy和a-Si的標(biāo)準(zhǔn)的化學(xué)氣相沉積工藝,。

化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)介紹

工藝靈活性

PECVD沉積設(shè)備SI 500 PPD便于在從室溫到350℃的溫度范圍內(nèi)進(jìn)行SiO2,、SiNx,、SiOxNy和a-Si的標(biāo)準(zhǔn)的化學(xué)氣相沉積工藝。

預(yù)真空室

SI 500 PPD化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)的特色是預(yù)真空室和干泵裝置,,用于無油,、高產(chǎn)量和潔凈的化學(xué)氣相沉積過程。

SENTECH控制軟件

強(qiáng)大的用戶界面友好軟件包括模擬圖形用戶界面,,參數(shù)窗口,,工藝處方編輯窗口,數(shù)據(jù)記錄和用戶管理,。

SI 500 PPD代表了的等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積設(shè)備,,用于介質(zhì)膜、非晶硅,、碳化硅和其他材料的沉積,。它基于平板電容耦合等離子體源,預(yù)真空室,,溫控襯底電極,,可選的低頻射頻源、全自動(dòng)控制的無油真空系統(tǒng),、的SENTECH控制軟件,,采用遠(yuǎn)程現(xiàn)場(chǎng)總線技術(shù),以及用戶友好的通用界面來操作SI 500 PPD,。

SI 500 PPD等離子沉積設(shè)備,,可以加工從大到200毫米直徑的晶片到裝載在載片器上的零件。單晶片預(yù)真空室保證穩(wěn)定的工藝條件,,并實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)易切換的過程,。

SI 500 PPD等離子增強(qiáng)沉積設(shè)備用于在從室溫到350℃的溫度范圍內(nèi)沉積SiO2、SiNx、SiONx和a-Si薄膜,。通過液態(tài)或氣態(tài)前驅(qū)體,SI 500 PPD可以為TEOS, SiC和其它材料的沉積提供解決方案,。SI 500 PPD特別適用于化學(xué)氣相沉積用于刻蝕掩膜,,鈍化膜,波導(dǎo)及其他的介質(zhì)膜和非晶硅,。

SENTECH提供不同級(jí)別的自動(dòng)化程度,,從真空片盒載片到一個(gè)工藝腔室或至多六個(gè)工藝模塊端口,可用于不同的蝕刻和沉積工藝模塊組成多腔系統(tǒng),,目標(biāo)是高靈活性或高產(chǎn)量,。SI 500 PPD也可用作多腔沉積系統(tǒng)中的一個(gè)工藝模塊。


SENTECH control software for plasma equipment2Stress control of SiNx films at the PECVD process, courtesy of FBH Berlin, GermanyThickness map of Si3N4Mapping of refractive index of Si3N4Typical k spectrum of a PECVD a-Si film deposited at 100 °C measured by spectroscopic ellipsometer STypical Raman spectrum of 100 nm PECVD a-Si film deposited at 100 °CRaman spectra of PECVD Si-films deposited with RF power of 150 W at different temperatures





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