日韩av大片在线观看欧美成人不卡|午夜先锋看片|中国女人18毛片水多|免费xx高潮喷水|国产大片美女av|丰满老熟妇好大bbbbbbbbbbb|人妻上司四区|japanese人妻少妇乱中文|少妇做爰喷水高潮受不了|美女人妻被颜射的视频,亚洲国产精品久久艾草一,俄罗斯6一一11萝裸体自慰,午夜三级理论在线观看无码

高密度等離子體

SI 500 D具有優(yōu)異的等離子體特性,，如高密度,，低離子能量和低壓等離子沉積介質(zhì)膜。

平行板ICP等離子體源

SENTECH*的平行板三螺旋天線(PTSA)ICP等離子體源實現(xiàn)了低功率耦合,。

優(yōu)異的沉積性能

低刻蝕速率,，高擊穿電壓，低應(yīng)力,、不損傷襯底以及在低于100°C的沉積溫度下的低界面態(tài)密度,，使得所沉積的薄膜具有優(yōu)異的性能。

動態(tài)溫度控制

動態(tài)溫度控制結(jié)合氦氣背冷的襯底電極,，以及襯底背面溫度傳感在從室溫到+350°C的廣泛溫度范圍內(nèi)提供了優(yōu)異穩(wěn)定工藝條件,。

SI 500 D等離子沉積設(shè)備代表了等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積的前沿技術(shù)，如介質(zhì)膜,、a-Si,、SiC和其他材料,。它基于PTSA等離子體源、獨(dú)立的反應(yīng)氣體進(jìn)氣口,、動態(tài)溫度控制襯底電極,、全自動控制的真空系統(tǒng)、采用遠(yuǎn)程現(xiàn)場總線技術(shù)的SENTECH控制軟件,，以及操作SI 500 D的用戶友好的通用用戶界面,。

SI 500 D等離子沉積設(shè)備可以加工各種各樣的襯底，從直徑高達(dá)200 mm的晶片到裝載在載片器上的零件,。單晶片預(yù)真空室保證了穩(wěn)定的工藝條件,，并實現(xiàn)在不同工藝之間的便捷切換。

SI 500 D等離子增強(qiáng)沉積設(shè)備用于在從室溫到350℃的溫度范圍內(nèi)沉積SiO2,、SiNx,、SiONx和a-Si薄膜。通過液態(tài)或氣態(tài)前驅(qū)體,，SI 500 D可以為TEOS, SiC,和其它材料的沉積提供解決方案,。SI 500 D特別適用于在低溫下在有機(jī)材料上沉積保護(hù)層和在既定的溫度下無損傷地沉積鈍化膜。

SENTECH提供不同級別的自動化程度,，從真空片盒載片到一個工藝腔室或六個工藝模塊端口,，可用于不同的蝕刻和沉積工藝模塊組成多腔系統(tǒng)，目標(biāo)是高靈活性或高產(chǎn)量,。SI 500 D也可用作多腔系統(tǒng)中的一個工藝模塊,。