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等離子沉積設(shè)備
高密度等離子體
SI 500 D具有優(yōu)異的等離子體特性,,如高密度,,低離子能量和低壓等離子沉積介質(zhì)膜。
平行板ICP等離子體源
SENTECH*的平行板三螺旋天線(PTSA)ICP等離子體源實現(xiàn)了低功率耦合,。
優(yōu)異的沉積性能
低刻蝕速率,,高擊穿電壓,低應(yīng)力,、不損傷襯底以及在低于100°C的沉積溫度下的低界面態(tài)密度,,使得所沉積的薄膜具有優(yōu)異的性能。
動態(tài)溫度控制
動態(tài)溫度控制結(jié)合氦氣背冷的襯底電極,,以及襯底背面溫度傳感在從室溫到+350°C的廣泛溫度范圍內(nèi)提供了優(yōu)異穩(wěn)定工藝條件,。
SI 500 D等離子沉積設(shè)備代表了等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積的前沿技術(shù),如介質(zhì)膜,、a-Si,、SiC和其他材料,。它基于PTSA等離子體源、獨(dú)立的反應(yīng)氣體進(jìn)氣口,、動態(tài)溫度控制襯底電極,、全自動控制的真空系統(tǒng)、采用遠(yuǎn)程現(xiàn)場總線技術(shù)的SENTECH控制軟件,,以及操作SI 500 D的用戶友好的通用用戶界面,。
SI 500 D等離子沉積設(shè)備可以加工各種各樣的襯底,從直徑高達(dá)200 mm的晶片到裝載在載片器上的零件,。單晶片預(yù)真空室保證了穩(wěn)定的工藝條件,,并實現(xiàn)在不同工藝之間的便捷切換。
SI 500 D等離子增強(qiáng)沉積設(shè)備用于在從室溫到350℃的溫度范圍內(nèi)沉積SiO2,、SiNx,、SiONx和a-Si薄膜。通過液態(tài)或氣態(tài)前驅(qū)體,,SI 500 D可以為TEOS, SiC,和其它材料的沉積提供解決方案,。SI 500 D特別適用于在低溫下在有機(jī)材料上沉積保護(hù)層和在既定的溫度下無損傷地沉積鈍化膜。
SENTECH提供不同級別的自動化程度,,從真空片盒載片到一個工藝腔室或六個工藝模塊端口,,可用于不同的蝕刻和沉積工藝模塊組成多腔系統(tǒng),目標(biāo)是高靈活性或高產(chǎn)量,。SI 500 D也可用作多腔系統(tǒng)中的一個工藝模塊,。
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