適合元器件測(cè)試用設(shè)備

在用于惡劣環(huán)境的半導(dǎo)體電子元件的制造中,，IC封裝組裝和工程和生產(chǎn)的測(cè)試階段包括在溫度（-85℃至+ 250℃）下的電子冷熱測(cè)試和其他環(huán)境測(cè)試模擬,。

無(wú)錫冠亞積探索和研究元件測(cè)試系統(tǒng)，主要用于半導(dǎo)體測(cè)試中的溫度測(cè)試模擬,，具有寬溫度定向和高溫升降,，溫度范圍-92℃~250℃。

半導(dǎo)體芯片原材料Chiller,控流量壓力

半導(dǎo)體芯片原材料Chiller,控流量壓力

　　集成電路設(shè)備主要包括硅片制造設(shè)備,、晶圓加工處理設(shè)備、封裝設(shè)備和測(cè)試設(shè)備等,，由于集成電路制造工序復(fù)雜,、流程較長(zhǎng)，不同環(huán)節(jié)所需設(shè)備各不相同,，且技術(shù)難度及價(jià)值量也存在明顯差異,。

　　而測(cè)試設(shè)備的技術(shù)門檻相對(duì)稍低，國(guó)產(chǎn)測(cè)試設(shè)備有望在各種半導(dǎo)體設(shè)備中*突圍,。從半導(dǎo)體設(shè)備分產(chǎn)品市場(chǎng)規(guī)模占比情況來(lái)看,，半導(dǎo)體設(shè)備所占*與技術(shù)難度基本成正比，技術(shù)難度更高的產(chǎn)品享有更高市場(chǎng)溢價(jià),。晶圓處理設(shè)備占比比較大,，原因在于在集成電路制造、封裝,、測(cè)試等環(huán)節(jié)中,，晶圓制造工藝較為復(fù)雜、工序較多,、技術(shù)壁壘較高,，設(shè)備成本也更高?！?/span>

測(cè)試設(shè)備通常壽命較長(zhǎng),，更新需求較少，較主要的需求是新增需求,。影響測(cè)試設(shè)備新增需求的四大因素包括下游芯片需求,、芯片復(fù)雜度、半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移和測(cè)試的并行度,。其中較核心的影響因素是下游芯片需求和芯片復(fù)雜度,。

　　近年來(lái)，芯片的復(fù)雜度不斷攀升,，測(cè)試設(shè)備的需求受芯片復(fù)雜度提升和下游景氣度波動(dòng)雙重影響,。