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雙腔體高真空等離子體原子層沉積系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
雙腔體高真空等離子體原子層沉積系統(tǒng)是通過(guò)將氣相前驅(qū)體脈沖交替地通入反應(yīng)腔體內(nèi)并在沉積基體上化學(xué)吸附并反應(yīng)而形成沉積膜的一種技術(shù)，具有自限性和自飽和。原子層沉積技...
原子層沉積設(shè)備廠家 參考價(jià)：面議
原子層沉積設(shè)備廠家（Atomic layer deposition)是通過(guò)將氣相前驅(qū)體脈沖交替地通入反應(yīng)腔體內(nèi)并在沉積基體上化學(xué)吸附并反應(yīng)而形成沉積膜的一種技術(shù)...
原子層沉積系統(tǒng)廠家 參考價(jià)：面議
原子層沉積系統(tǒng)廠家（Atomic layer deposition)是通過(guò)將氣相前驅(qū)體脈沖交替地通入反應(yīng)腔體內(nèi)并在沉積基體上化學(xué)吸附并反應(yīng)而形成沉積膜的一種技術(shù)...
桌面式原子層沉積系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
桌面式原子層沉積系統(tǒng)ALD（Atomic layer deposition)是通過(guò)將氣相前驅(qū)體脈沖交替地通入反應(yīng)腔體內(nèi)并在沉積基體上化學(xué)吸附并反應(yīng)而形成沉積膜的...
粉末原子層沉積 參考價(jià)：面議
粉末原子層沉積（Atomic layer deposition)是通過(guò)將氣相前驅(qū)體脈沖交替地通入反應(yīng)腔體內(nèi)并在沉積基體上化學(xué)吸附并反應(yīng)而形成沉積膜的一種技術(shù)，具...
等離子體原子層沉積 參考價(jià)：面議
雙腔體等離子體原子層沉積系統(tǒng)是通過(guò)將氣相前驅(qū)體脈沖交替地通入反應(yīng)腔體內(nèi)并在沉積基體上化學(xué)吸附并反應(yīng)而形成沉積膜的一種技術(shù)，具有自限性和自飽和,。原子層沉積技術(shù)主要...(空格分隔,最多3個(gè),單個(gè)標(biāo)簽最多10個(gè)字符)
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