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參考價(jià)	面議

透射電鏡樣品桿

原位樣品桿

普通樣品桿

三維重構(gòu)樣品桿

加熱樣品桿

冷凍樣品桿

氣體樣品桿

多場(chǎng)耦合樣品桿

光學(xué)樣品桿

力學(xué)樣品桿

電學(xué)測(cè)量樣品桿

兼容性	適配Thermofisher/FEI,、JEOL、Hitachi透射電鏡	功能	加熱、加電
芯片電極	4電極、6電極、8電極等

PicoFemto系列透射電鏡原位加熱/電學(xué)樣品桿,，基于MEMS原位芯片技術(shù)，通過更換多種類型的加熱芯片或電學(xué)芯片,，在透射電鏡中實(shí)現(xiàn)對(duì)樣品加熱或加電的原位功能,。

詳細(xì)介紹

PicoFemto系列透射電子顯微鏡原位加熱/電學(xué)樣品桿是在標(biāo)準(zhǔn)外形的透射電鏡樣品桿內(nèi)安裝MEMS工藝制成的加熱芯片和電學(xué)測(cè)量芯片。加熱芯片可對(duì)樣品進(jìn)行可控溫度的加熱,，電學(xué)測(cè)量芯片可對(duì)樣品進(jìn)行電性質(zhì)測(cè)量,。并可在進(jìn)行加熱和電學(xué)測(cè)量的同時(shí)，動(dòng)態(tài),、高分辨地對(duì)樣品的晶體結(jié)構(gòu),、化學(xué)組分、元素價(jià)態(tài)進(jìn)行綜合表征,，大大地?cái)U(kuò)展了透射電子顯微鏡的功能與應(yīng)用領(lǐng)域,。

技術(shù)指標(biāo)

電學(xué)測(cè)量	加熱控溫
1.包含一個(gè)電流電壓測(cè)試單元；	1.溫度范圍：室溫至1200℃,；
2.電壓輸出：Max ±200V,， Min ±5 uV；	2.加熱功率：Max 30W,；
3.電流測(cè)量：Max ±1.5 A,， Min ±100fA；	3.控溫穩(wěn)定性：優(yōu)于±0.1℃,；
4.恒壓或恒流模式	4.PID/Pulse/Manual三種控溫方式,；
5.軟件控制，數(shù)據(jù)自動(dòng)保存,。	5.軟件控制,，數(shù)據(jù)自動(dòng)保存。

    產(chǎn)品選型

    原位加熱/電學(xué)樣品桿具有單傾,、雙傾兩個(gè)版本,，電極數(shù)可選,；同時(shí)可拓展真空轉(zhuǎn)移芯片桿、低溫芯片桿,，用戶可根據(jù)實(shí)驗(yàn)需求自行選擇,。

    澤攸科技提供適配Thermofisher/FEI（賽默飛）、JEOL（日本電子）,、Hitachi（日立）各型號(hào)透射電子顯微鏡及極靴的不同型號(hào)芯片式樣品桿,，支持定制。

    國內(nèi)部分用戶

南方科技大學(xué).png 山東大學(xué).jpg 物理所.jpg 燕山大學(xué).jpg

    典型案例

    1,、透射電鏡內(nèi)的原位加熱實(shí)驗(yàn),；

    2、透射電鏡內(nèi)的原位加電實(shí)驗(yàn)（可選針對(duì)敏感樣品的真空轉(zhuǎn)移方案）,；

    3,、透射電鏡內(nèi)的原位熱電耦合實(shí)驗(yàn)；

    4,、透射電鏡內(nèi)的低溫電學(xué)實(shí)驗(yàn),；