遷移率少子壽命測試儀特點：

■測試范圍廣：包括硅塊、硅棒,、硅芯,、檢磷棒、檢硼棒,、籽晶,、硅片等的少子壽命及鍺單晶的少子壽命測量。

■主要應(yīng)用于硅棒,、硅芯、檢磷棒,、檢硼棒,、籽晶、硅塊,、硅片的進(jìn)廠,、出廠檢查，生產(chǎn)工藝過程中重金屬沾污和缺陷的監(jiān)控等。

■適用于低阻硅料少子壽命的測量,，電阻率測量范圍可達(dá)ρ>0.1Ω?cm（可擴展至0.01Ω?cm）,，完了微波光電導(dǎo)無法檢測低阻單晶硅的問題。

■全程監(jiān)控動態(tài)測試過程,，避免了微波光電導(dǎo)（u-PCD）無法觀測晶體硅陷阱效應(yīng),，表面復(fù)合效應(yīng)缺陷的問題。

■貫穿深度大,，達(dá)500微米,，相比微波光電導(dǎo)的30微米的貫穿深度，真正體現(xiàn)了少子的體壽命的測量,，避免了表面復(fù)合效應(yīng)的干擾,。

■專業(yè)定制樣品架地滿足了原生多晶硅料生產(chǎn)企業(yè)測試多種形狀的硅材料少子壽命的要求，包括硅芯,、檢磷棒,、檢硼棒等。

■遷移率少子壽命測試儀性價比高,，價格遠(yuǎn)低于國外國外少子壽命測試儀產(chǎn)品,，極大程度地降低了企業(yè)的測試成本。