XNC-KDB-3型雙組合四探針電阻率測(cè)試儀
(以下簡(jiǎn)稱電阻率測(cè)試儀)是用來(lái)測(cè)量半導(dǎo)體材料(主要是硅單晶,、鍺單晶,、硅片)電阻率,以及擴(kuò)散層,、外延,、離子注入、化學(xué)氣相,、或其他淀積工藝在硅襯底上形成的薄膜方塊電阻的測(cè)量?jī)x器。它主要由電氣測(cè)量部份(簡(jiǎn)稱:主機(jī)),、測(cè)試架及四探針頭組成,。
雙組合測(cè)試方法使用四探針的方式不同于其他ASTM測(cè)量半導(dǎo)體電阻率或薄層電阻的方法。在本測(cè)試方法中,,在測(cè)試樣品的每個(gè)測(cè)量位置上,,以兩種不同的方式(配置)將探針連接到提供電流和測(cè)量電壓的電路中。四探針的這種使用法通常被稱為“雙配置"或“配置切換"測(cè)量,。單組合四探針相比,,用較小間距的探針頭就可以進(jìn)行高精度的測(cè)量,從而可獲得更高的晶片薄層電阻變化的空間分辨率,。
本儀器的特點(diǎn)是主機(jī)配置雙數(shù)字表,,在測(cè)量電阻率的同時(shí),另一塊數(shù)字表(以萬(wàn)分之幾的精度)適時(shí)監(jiān)測(cè)全程的電流變化,,免除了測(cè)量電流/測(cè)量電阻率的轉(zhuǎn)換,,更及時(shí)掌控測(cè)量電流。主機(jī)還提供精度為0.05%的恒流源,,使測(cè)量電流高度穩(wěn)定,。本機(jī)配有恒流源開(kāi)關(guān),在測(cè)量某些薄層材料時(shí),,可免除探針尖與被測(cè)材料之間接觸火花的發(fā)生,,更好地保護(hù)箔膜,。儀器配置了本公司的產(chǎn)品:“小游移四探針頭",探針游移率在0.1~0.2%,。保證了儀器測(cè)量電阻率的重復(fù)性和準(zhǔn)確度,。本機(jī)可加配KDY測(cè)量系統(tǒng),測(cè)量硅片時(shí)可自動(dòng)進(jìn)行厚度,、直徑,、探針間距的修正,并計(jì)算出硅片電阻率,、徑向電阻率的最大百分變化,、平均百分變化、徑向電阻率不均勻度,,給測(cè)量帶來(lái)很大方便,。
XNC-KDB-3型雙組合四探針電阻率測(cè)試儀主機(jī)技術(shù)能數(shù)
(1)測(cè)量范圍:
可測(cè)電阻率:0.0001~19999Ω•cm
可測(cè)方塊電阻:0.001~199999Ω/□
(2)恒流源:
輸出電流:DC 0.001~100mA 五檔連續(xù)可調(diào)
量程:0.001~0.01mA 0.01~0.10mA 0.10~1.0mA 1.0~10mA 10~100mA
恒流精度:各檔均低于±0.05%
(3)直流數(shù)字電壓表:
測(cè)量范圍:0~199.99mV
靈敏度:10μV
基本誤差:±(0.004%讀數(shù)+0.01%滿度)
輸入阻抗:≥1000MΩ
(4)測(cè)量精度:電器精度:1-1000歐姆≤0.3%
整機(jī)測(cè)量精度:1-1000歐姆•厘米≤3%
(5)供電電源:
AC 220V±10% 50/60 Hz 功率:12W
(6)使用環(huán)境:溫度:23±2℃ 相對(duì)濕度:≤65%
無(wú)較強(qiáng)的電場(chǎng)干擾,電源隔離濾波,,無(wú)強(qiáng)光直接照射
(7)重量,、體積:
主機(jī)重量:6.5kg
體積:420(含前把手)×360×150(含底腳)(單位:mm 長(zhǎng)度×寬度×高度)
該儀器可選配KDY四探針測(cè)試系統(tǒng)連接計(jì)算機(jī)軟件進(jìn)行測(cè)量,測(cè)試結(jié)果更加精確,、簡(jiǎn)便,,測(cè)量數(shù)據(jù)自動(dòng)保存,可進(jìn)行導(dǎo)出excel等操作,,便于保存數(shù)據(jù),。