真空吸盤可繞Z軸旋轉(zhuǎn),，噴嘴可沿X、Y,、Z移動,，國產(chǎn)諧波減速機廠家CSF-25-160-2A-GR圍繞Z旋轉(zhuǎn)。噴嘴沿硅片徑向分滴光刻膠,，這樣光刻膠就可以均勻噴涂在硅片表面上,。光刻膠涂覆后，在硅片邊緣的正反兩面都會有光刻膠的堆積。國產(chǎn)諧波減速機廠家CSF-25-160-2A-GR邊緣的光刻膠一般涂布不均勻,，不能中“背面EBR"裝置為邊緣光刻膠的去除裝置,。

軟烘的目的是去掉光刻膠中的溶劑、增強光刻膠的粘附性,、釋放旋轉(zhuǎn)涂膠產(chǎn)生的內(nèi)應力,、改善線寬控制、防止光刻膠粘附到其他器件上,。軟烘在真空熱板上進行

一般來說,，互連材料淀積在硅片表面，然后有選擇性地去除它,，就形成了由光刻技術(shù)定義的電路圖形,。這種有選擇性地去除材料的工藝過程，叫做刻蝕,，在顯影檢查完后進行,，刻蝕工藝的正確進行非常關(guān)鍵，否則芯片將不能工作,。更重要的是,，一旦材料被刻蝕去掉，在刻蝕過程中所犯的錯誤將難以糾正,?？涛g的要求取決于要制作的特征圖形的類型，如合金復合層,、多晶硅柵,、隔離硅槽或介質(zhì)通孔。

光刻包括兩種基本的工藝類型：負性光刻和正性光刻,。負性光刻把與掩模版上圖形相反的圖形復制到硅片表面,。正性光刻把與掩模版上相同的圖形復制到硅片上。這兩種基本工藝的主要區(qū)別在于所用光刻膠的種類不同,。光刻工藝過程包括8個基本步驟：氣相成底模,、旋轉(zhuǎn)涂膠、軟烘,、對準和曝光,、曝光后烘培、顯影,、堅膜烘培,、顯影檢查。