哈默納科諧波減速機(jī)?自然界的物質(zhì),、材料按導(dǎo)電能力大小可分為導(dǎo)體,、半導(dǎo)體和絕緣體三大類。半導(dǎo)體的電阻率在1mΩ·cm~1GΩ·cm范圍(上限按謝嘉奎《電子線路》取值,，還有取其1/10或10倍的;因角標(biāo)不可用,，暫用當(dāng)前描述)。在一般情況下,，半導(dǎo)體電導(dǎo)率隨溫度的升高而減小,，這與金屬導(dǎo)體恰好相反。

凡具有上述兩種特征的材料都可歸入半導(dǎo)體材料的范圍,。反映半導(dǎo)體半導(dǎo)體材料內(nèi)在基本性質(zhì)的卻是各種外界因素如光,、熱、磁,、電等作用于半導(dǎo)體而引起的物理效應(yīng)和現(xiàn)象,，這些可統(tǒng)稱為半導(dǎo)體材料的半導(dǎo)體性質(zhì)。構(gòu)成固態(tài)電子器件的基體材料絕大多數(shù)是半導(dǎo)體,，正是這些半導(dǎo)體材料的各種半導(dǎo)體性質(zhì)賦予各種不同類型半導(dǎo)體器件以不同的功能和特性,。半導(dǎo)體的基本化學(xué)特征在于原子間存在飽和的共價(jià)鍵。作為共價(jià)鍵特征的典型是在晶格結(jié)構(gòu)上表現(xiàn)為四面體結(jié)構(gòu),所以典型的半導(dǎo)體材料具有金剛石或閃鋅礦(ZnS)的結(jié)構(gòu),。 由于地球的礦藏多半是化合物,，所以最早得到利用的半導(dǎo)體材料都是化合物,例如方鉛礦(PbS)很早就用于無線電檢波，氧化亞銅(Cu2O)用作固體整流器,，閃鋅礦(ZnS)是熟知的固體發(fā)光材料,，碳化硅(SiC)的整流檢波作用也較早被利用,。硒(Se)是最早發(fā)現(xiàn)并被利用的元素半導(dǎo)體，曾是固體整流器和光電池的重要材料,。元素半導(dǎo)體鍺(Ge)放大作用的發(fā)現(xiàn)開辟了半導(dǎo)體歷史新的一頁(yè),，從此電子設(shè)備開始實(shí)現(xiàn)晶體管化。中國(guó)的半導(dǎo)體研究和生產(chǎn)是從1957年制備出高純度(99.999999%~99.9999999%) 的鍺開始的,。采用元素半導(dǎo)體硅(Si)以后,，不僅使晶體管的類型和品種增加、性能提高,，而且迎來了大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路的時(shí)代,。以砷化鎵(GaAs)為代表的Ⅲ-Ⅴ族化合物的發(fā)現(xiàn)促進(jìn)了微波器件和光電器件的迅速發(fā)展。

哈默納科諧波減速機(jī)?半導(dǎo)體材料可按化學(xué)組成來分,，再將結(jié)構(gòu)與性能比較特殊的非晶態(tài)與液態(tài)半導(dǎo)體單獨(dú)列為一類,。按照這樣分類方法可將半導(dǎo)體材料分為元素半導(dǎo)體、無機(jī)化合物半導(dǎo)體,、有機(jī)化合物半導(dǎo)體和非晶態(tài)與液態(tài)半導(dǎo)體,。

元素半導(dǎo)體 在元素周期表的ⅢA族至ⅦA族分布著11種具有半導(dǎo)性半導(dǎo)體材料的元素，下表的黑框中即這11種元素半導(dǎo)體,其中C表示金剛石,。C,、P、Se具有絕緣體與半導(dǎo)體兩種形態(tài);B,、Si,、Ge、Te具有半導(dǎo)性;Sn,、As,、Sb具有半導(dǎo)體與金屬兩種形態(tài)。P的熔點(diǎn)與沸點(diǎn)太低,Ⅰ的蒸汽壓太高,、容易分解,，所以它們的實(shí)用價(jià)值不大。As,、Sb,、Sn的穩(wěn)定態(tài)是金屬，半導(dǎo)體是不穩(wěn)定的形態(tài),。B,、C、Te也因制備工藝上的困難和性能方面的局限性而尚未被利用,。因此這11種元素半導(dǎo)體中只有Ge,、Si,、Se 3種元素已得到利用,。Ge,、Si仍是所有半導(dǎo)體材料中應(yīng)用*的兩種材料。

無機(jī)化合物半導(dǎo)體 分二元系,、三元系,、四元系等。 二元系包括:①Ⅳ-Ⅳ族:SiC和Ge-Si合金都具有閃鋅礦的結(jié)構(gòu),。②Ⅲ-Ⅴ族:由周期表中Ⅲ族元素Al,、Ga、In和V族元素P,、As,、Sb組成，典型的代表為GaAs,。它們都具有閃鋅礦結(jié)構(gòu),它們?cè)趹?yīng)用方面僅次于Ge,、Si,有很大的發(fā)展前途。③Ⅱ-Ⅵ族:Ⅱ族元素Zn,、Cd,、Hg和Ⅵ族元素S、Se,、Te形成的化合物,，是一些重要的光電材料。ZnS,、CdTe,、HgTe具有閃鋅礦結(jié)構(gòu)。④Ⅰ-Ⅶ族:Ⅰ族元素Cu,、Ag,、Au和 Ⅶ族元素Cl、Br,、I形成的化合物,，其中CuBr、CuI具有閃鋅礦結(jié)構(gòu),。⑤Ⅴ-Ⅵ族:Ⅴ族元素As,、Sb、Bi和Ⅵ族元素 S,、Se,、Te形成的化合物具有的形式,如Bi2Te3、Bi2Se3,、Bi2S3,、As2Te3等是重要的溫差電材料。⑥第四周期中的B族和過渡族元素Cu、 Zn,、Sc,、Ti、V,、Cr,、Mn、Fe,、Co,、Ni的氧化物,為主要的熱敏電阻材料。⑦某些稀土族元素 Sc,、Y,、Sm、Eu,、Yb,、Tm與Ⅴ族元素N、As或Ⅵ族元素S,、Se,、Te形成的化合物。 除這些二元系化合物外還有它們與元素或它們之間的固溶體半導(dǎo)體,，例如Si-AlP,、Ge-GaAs、InAs-InSb,、AlSb-GaSb,、InAs-InP、GaAs-GaP等,。研究這些固溶體可以在改善單一材料的某些性能或開辟新的應(yīng)用范圍方面起很大作用,。

半導(dǎo)體材料

三元系包括:族:這是由一個(gè)Ⅱ族和一個(gè)Ⅳ族原子去替代Ⅲ-Ⅴ族中兩個(gè)Ⅲ族原子所構(gòu)成的。例如ZnSiP2,、ZnGeP2,、ZnGeAs2、CdGeAs2,、CdSnSe2等,。族:這是由一個(gè)Ⅰ族和一個(gè)Ⅲ族原子去替代Ⅱ-Ⅵ族中兩個(gè)Ⅱ族原子所構(gòu)成的, 如 CuGaSe2、AgInTe2,、 AgTlTe2,、CuInSe2、CuAlS2等,。:這是由一個(gè)Ⅰ族和一個(gè)Ⅴ族原子去替代族中兩個(gè)Ⅲ族原子所組成,如Cu3AsSe4,、Ag3AsTe4,、Cu3SbS4、Ag3SbSe4等,。此外,，還有它的結(jié)構(gòu)基本為閃鋅礦的四元系(例如Cu2FeSnS4)和更復(fù)雜的無機(jī)化合物。

有機(jī)化合物半導(dǎo)體 已知的有機(jī)半導(dǎo)體有幾十種,，熟知的有萘、蒽,、聚丙烯腈,、酞菁和一些芳香族化合物等，它們作為半導(dǎo)體尚未得到應(yīng)用,。

非晶態(tài)與液態(tài)半導(dǎo)體 這類半導(dǎo)體與晶態(tài)半導(dǎo)體的最大區(qū)別是不具有嚴(yán)格周期性排列的晶體結(jié)構(gòu),。