F3L100R07W2E3_B11英飛凌IGBT功率模塊
一、IGBT管簡(jiǎn)介
IGBT管是絕緣柵雙極型晶體管（Isolated Gate Bipolar Transistor）的簡(jiǎn)稱,，它是80年代初誕生,，90年
代迅速發(fā)展起來(lái)的新型復(fù)合電力電子器件IGBT管是由MOSFET場(chǎng)效應(yīng)晶體管和BJT雙極型晶體管復(fù)合而成的
，其輸入級(jí)為MOSFET,，輸出級(jí)為PNP型大功率三極管,，它融和了這兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，既具有MOSFET器件輸
入阻抗高 響應(yīng)速度快 熱穩(wěn)定性好和驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單的優(yōu)點(diǎn),，又具有雙極型器件通態(tài)電壓低 耐壓高和輸出
電流大的優(yōu)點(diǎn),，其頻率特性介于MOS-FET與功率晶體管之間，可正常工作于幾十kHz頻率范圍內(nèi),，在現(xiàn)代電
力電子技術(shù)中得到了越來(lái)越廣泛的應(yīng)用,，在較高頻率的大、中功率應(yīng)用中占據(jù)了主導(dǎo)地位IGBT管的開(kāi)通和
關(guān)斷是由柵極電壓來(lái)控制IGBT管的。當(dāng)柵極加正電壓時(shí),，OSFET內(nèi)形成溝道,，并為PNP晶體管提供基極電流
，從而使IGBT管導(dǎo)通,，此時(shí)高耐壓的IGBT管也具有低的通態(tài)壓降 在柵極上加負(fù)電壓時(shí),，MOSFET內(nèi)的溝道
消失，PNP晶體管的基極電流被切斷,，IGBT管即關(guān)斷 IGBT管與MOSFET一樣也是電壓控制型器件,，在它的柵
極發(fā)射極間施加十幾伏的直流電壓，只有微安級(jí)的漏電流,，基本上不消耗功率,，顯示了輸入阻抗大的優(yōu)點(diǎn)
。
二,、IGBT管的代換
由于IGBT管工作在大電流 高電壓狀態(tài),，工作頻率較高，發(fā)熱量大,，因此其故障率較高,，又由于其價(jià)格較
高，故代換IGBT管時(shí),，應(yīng)遵循以下原則：首先,，盡量用原型號(hào)的代換，這樣不僅利于固定安裝,，也比較簡(jiǎn)
便 其次,，如果沒(méi)有相同型號(hào)的管子，可用參數(shù)相近的IGBT管來(lái)代換,，一般是用額定電流較大的管子代替
額定電流較小的,，用高耐壓的代替低耐壓的，如果參數(shù)已經(jīng)磨掉,，可根據(jù)其額定功率來(lái)代換,。
三、IGBT管的保存
保存半導(dǎo)體元件的場(chǎng)合溫度與濕度應(yīng)保持常溫常濕狀態(tài),，不應(yīng)偏離太大 一般地,，常溫規(guī)定為5~35攝氏度
，常濕規(guī)定為45％~75％ 在冬天特別干燥的地區(qū),，需用加濕機(jī)加濕裝IGBT管模塊的容器,，應(yīng)選用不帶靜電
的容器并盡量遠(yuǎn)離有腐蝕性氣體或灰塵較多的場(chǎng)合在溫度發(fā)生急劇變化的場(chǎng)所IGBT模塊表面可能有結(jié)露水
的現(xiàn)象，因此IGBT模塊應(yīng)放在溫度變化較小的地方,。
四,、使用注意事項(xiàng)
IGBT管的柵極通過(guò)一層氧化膜與發(fā)射極實(shí)現(xiàn)電隔離由于此氧化膜很薄,，IGBT管的UGE 的耐壓值為 20V，在
IGBT管加超出耐壓值的電壓時(shí),，會(huì)導(dǎo)致?lián)p壞的危險(xiǎn) 此外,，在柵極發(fā)射極間開(kāi)路時(shí)，若在集電極與發(fā)射極
間加上電壓,，則隨著集電極電位的變化,，由于集電極有漏電流流過(guò)，柵極電位升高,，集電極則有電流流過(guò)
這時(shí),，如果集電極與發(fā)射極間存在高電壓，則有可能使IGBT管發(fā)熱乃至損壞在應(yīng)用中,，有時(shí)雖然保證了柵
極驅(qū)動(dòng)電壓沒(méi)有超過(guò)柵極額定電壓,，但柵極連線的寄生電感和柵極與集電極間的電容耦合，也會(huì)產(chǎn)生
使氧化層損壞的振蕩電壓為此,，通常采用雙絞線來(lái)傳送驅(qū)動(dòng)信號(hào),，以減少寄生電感 在柵極連線中串聯(lián)小
電阻也可以抑制振蕩電壓，如果柵極回路不合適或者柵極回路*不能工作時(shí)（柵極處于開(kāi)路狀態(tài)）,，若
在主回路上加上電壓,，則IGBT管就會(huì)損壞 為防止這類損壞情況發(fā)生,，應(yīng)在柵極一發(fā)射極之間接一只10千
歐左右的電阻,。此外，由于IGBT管為MOS結(jié)構(gòu),，對(duì)于靜電就要十分注意 因此,，請(qǐng)注意下面幾點(diǎn)：
(1)在使用模塊時(shí)，手持分裝件時(shí),，請(qǐng)勿觸摸驅(qū)動(dòng)端子部分當(dāng)必須要觸摸模塊端子時(shí),，要先將人體或衣服
上的靜電放電后，再觸摸,；
(2)在用導(dǎo)電材料連接IGBT管的驅(qū)動(dòng)端子時(shí),，在配線未接好之前請(qǐng)先不要接上模塊；
(3)盡量在底板良好接地的情況下操作 如焊接時(shí),，電烙鐵要可靠接地在安裝或更換IGBT管時(shí),，應(yīng)十分重視
IGBT管與散熱片的接觸面狀態(tài)和擰緊程度，為了減少接觸熱阻,，在散熱器與IGBT管間涂抹導(dǎo)熱硅脂,，
一般散熱片底部安裝有散熱風(fēng)扇，當(dāng)散熱風(fēng)扇損壞中散熱片散熱不良時(shí)將導(dǎo)致IGBT管發(fā)熱,，從而發(fā)生故障
,，因此對(duì)散熱風(fēng)扇應(yīng)定期進(jìn)行檢查，一般在散熱片上靠近IGBT管的地方安裝有溫度感應(yīng)器，當(dāng)溫度過(guò)高時(shí)
將報(bào)警或停止IGBT管工作,。
F3L100R07W2E3_B11英飛凌IGBT功率模塊
IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)
可測(cè)試IGBT參數(shù)包括ICES,、BVCES、IGESF,、VGETH,、VGEON、VCESAT,、ICON,、VF、
GFS,、rCE等全直流參數(shù),，所有小電流指標(biāo)保證1%重復(fù)測(cè)試精度，大電流指標(biāo)保證2%以內(nèi)重復(fù)測(cè)試精度,。
主極電流可提供400A 500A 800A 1250A大電流測(cè)試選項(xiàng)
BR3500測(cè)試系統(tǒng)是一項(xiàng)高速多用途半導(dǎo)體分立器件智能測(cè)試系統(tǒng),。它具有十分豐富的編程軟件和強(qiáng)大的測(cè)
試能力?？烧鎸?shí)準(zhǔn)確測(cè)試達(dá)類二十七分類大,、中、小功率的半導(dǎo)體分立器件,。
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