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1.技術(shù)性能指標
1. 物理指標:設備尺寸(mm):800(寬)×600(長)×1800(高)mm,;
2.電學指標
主極電壓2000V
主極電流2500A
控制極電壓20V
控制極電流10A
電壓分辨率1mV
電流分辨率100pA
測試速度5mS/參數(shù)
晶體管:TRANSISTOR(NPN 型/PNP 型)
測試參數(shù):ICBO(發(fā)射極開路時集電極-基極的反向電流),、ICEO(集電極-發(fā)射極漏流)、IEBO(發(fā)射極
-基極間的漏流),、BVCEO(集電極-發(fā)射極的擊穿電壓),、BVCBO(集電極-基極的擊穿電壓)、BVEBO(發(fā)
射極-基極的擊穿電壓),、hFE(放大倍數(shù)),、VCESAT(集電極-發(fā)射極間的飽和壓降),、VBESAT(基極-發(fā)
射極間的飽和壓降)、VBE(基極-發(fā)射極間的非飽和壓降)
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