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聚焦離子束FIB

聚焦離子束系統(tǒng)（FIB）：材料微納結構的樣品制備,，包括：SEM在線觀察下制備TEM樣品、材料微觀截面截取與觀察,、樣品微觀刻蝕與沉積等,。
                             
聚焦離子束場發(fā)射掃描雙束電鏡（FIB）是上納米結構分析和材料微納結構制備的*設備。它配有電子束和Ga離子束,，可以實現(xiàn)電子束與離子束的同時在線觀測,，具有束流穩(wěn)定、分辨率高,、納米操控確的特點，可以在納米尺度的分辨率下對材料進行三維,、高質量,、高穩(wěn)定性的顯微形貌、晶體結構和相組織的觀察與分析，及各種材料微區(qū)化學成分的定性和定量檢測,。

聚焦離子束FIB主要技術指標The main technical indicators：


SEM       分辨率Resolution： 1.0nm @ 15kV       1.9nm @ 1kV

                 放大倍數(shù)Mag.：12 ~ 1000,000x

                 加速電壓EHT：0.1 ~ 30kV


FIB           分辨率Resolution：2.5nm @ 30kV
             
                 放大倍數(shù)Mag.：300×～ 500,000×
                 
                 加速電壓EHT：1.0 ~ 30Kv



配置Configuration

探測器Detector：Inlens二次電子探測器

                            E-T 二次電子探測器

                            ESB背散射電子探測器

X射線能譜儀 X-ray spectrometer

分辨率Resolution：127 eV @ MnKα

探測元素范圍Detection range of elements： Be(4) ~ Fm(100)

EBSD探測器 EBSD Detector

空間分辨率Spatial resolution：50nm

主要功能：

1.        場發(fā)射掃描電鏡（SEM）：各種材料形貌觀察和分析,，如金屬、半導體,、陶瓷,、高分子材料、有機聚合物等

2.        X射線能譜分析儀（EDS）：材料微區(qū)成分分析,；MnKa峰的半高寬優(yōu)于127eV,；CKa峰的版高寬優(yōu)于56Ev;FKa峰的半高寬優(yōu)于64eV；元素Be4-U92;

3.        3D背散射電子取向成像系統(tǒng)（EBSD）：多晶材料的晶體取向和織構分析和3D重構,；空間分辨率：優(yōu)于50nm,；探測器靈敏度： 加速電壓在3KV時，束流小于50pA能采集到花樣,；解析速度大可達600點/s,；測試能譜和EBSD 同步采集和一體化功能，選取實際樣品進行三維EDS & EBSD測試,；

4.        聚焦離子束系統(tǒng)（FIB）：材料微納結構的樣品制備,，包括：SEM在線觀察下制備TEM樣品、材料微觀截面截取與觀察,、樣品微觀刻蝕與沉積等,。