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所 在 地武漢市
更新時間:2021-03-22 13:59:53瀏覽次數(shù):1010次
聯(lián)系我時,請告知來自 化工儀器網(wǎng)ITC57300 MOS管半導(dǎo)體動態(tài)參數(shù)測試儀
ITC57300分立器件動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)
產(chǎn)地類別 | 國產(chǎn) | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 化工 |
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聚焦離子束FIB
聚焦離子束系統(tǒng)(FIB):材料微納結(jié)構(gòu)的樣品制備,,包括:SEM在線觀察下制備TEM樣品、材料微觀截面截取與觀察,、樣品微觀刻蝕與沉積等,。
聚焦離子束場發(fā)射掃描雙束電鏡(FIB)是上納米結(jié)構(gòu)分析和材料微納結(jié)構(gòu)制備的*設(shè)備。它配有電子束和Ga離子束,,可以實現(xiàn)電子束與離子束的同時在線觀測,,具有束流穩(wěn)定、分辨率高,、納米操控確的特點,可以在納米尺度的分辨率下對材料進行三維,、高質(zhì)量,、高穩(wěn)定性的顯微形貌、晶體結(jié)構(gòu)和相組織的觀察與分析,,及各種材料微區(qū)化學(xué)成分的定性和定量檢測,。
聚焦離子束FIB主要技術(shù)指標(biāo)The main technical indicators:
SEM 分辨率Resolution: 1.0nm @ 15kV 1.9nm @ 1kV
放大倍數(shù)Mag.:12 ~ 1000,000x
加速電壓EHT:0.1 ~ 30kV
FIB 分辨率Resolution:2.5nm @ 30kV
放大倍數(shù)Mag.:300×~ 500,000×
加速電壓EHT:1.0 ~ 30Kv
配置Configuration
探測器Detector:Inlens二次電子探測器
E-T 二次電子探測器
ESB背散射電子探測器
X射線能譜儀 X-ray spectrometer
分辨率Resolution:127 eV @ MnKα
探測元素范圍Detection range of elements: Be(4) ~ Fm(100)
EBSD探測器 EBSD Detector
空間分辨率Spatial resolution:50nm
主要功能:
1. 場發(fā)射掃描電鏡(SEM):各種材料形貌觀察和分析,如金屬,、半導(dǎo)體,、陶瓷、高分子材料,、有機聚合物等
2. X射線能譜分析儀(EDS):材料微區(qū)成分分析,;MnKa峰的半高寬優(yōu)于127eV;CKa峰的版高寬優(yōu)于56Ev;FKa峰的半高寬優(yōu)于64eV;元素Be4-U92;
3. 3D背散射電子取向成像系統(tǒng)(EBSD):多晶材料的晶體取向和織構(gòu)分析和3D重構(gòu),;空間分辨率:優(yōu)于50nm,;探測器靈敏度: 加速電壓在3KV時,束流小于50pA能采集到花樣,;解析速度大可達600點/s,;測試能譜和EBSD 同步采集和一體化功能,選取實際樣品進行三維EDS & EBSD測試,;
4. 聚焦離子束系統(tǒng)(FIB):材料微納結(jié)構(gòu)的樣品制備,,包括:SEM在線觀察下制備TEM樣品、材料微觀截面截取與觀察,、樣品微觀刻蝕與沉積等,。
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