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標樂Buehler 金相制樣
徠卡Leica 顯微鏡
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形創(chuàng) 三維掃描測量
萊馳RETSCH 粉碎、研磨,、篩分
麥奇克萊馳MICROTRAC MRB 粒度粒形分析儀
埃爾特ELTRA 碳 / 氫 / 氧 / 氮 / 硫元素分析儀
卡博萊特蓋羅Carbolite Gero 高溫箱爐
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應(yīng)用案例 | 電鏡樣品制備之IC芯片

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本文采用徠卡三離子束切割儀TIC 3X的旋轉(zhuǎn)拋光樣品臺制備IC芯片。文中樣品很好地說明了徠卡三離子束切割儀中旋轉(zhuǎn)拋光平臺的概念,。即使遇到直徑達38 mm的樣品的時候,，表面能處理的區(qū)域也能達到30 mm。離子束拋光程度如何取決于之前的機械拋光,，因此建議在離子束拋光前的機械拋光盡量做得好一些,，在50倍的光鏡下看不見劃痕為宜。

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