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Q這篇文章主要講的什么內(nèi)容,？A

應(yīng)力測(cè)試你已經(jīng)知道的和不知道的，這里都有講,，閱讀后你一定能get到新的技能,！

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應(yīng)力的產(chǎn)生

 應(yīng)力的產(chǎn)生是因?yàn)椴牧现邪l(fā)生了不均勻的彈性變形或者彈塑性變形造成的。原因來(lái)自于三個(gè)方面：

    1,、冷熱變形時(shí)沿截面塑性變形不均勻

    2,、零件加熱、冷卻時(shí),，體積內(nèi)溫度分布不均勻

    3,、加熱、冷卻時(shí),，零件界面內(nèi)相變過(guò)程不均勻?

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▲VANTEC-500 Detector

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應(yīng)力的分類

根據(jù)德國(guó)學(xué)者馬赫勞赫對(duì)應(yīng)力的分類如下：

        第|類內(nèi)應(yīng)力稱為殘余應(yīng)力,。是存在于較大材料區(qū)域范圍（很多晶粒范圍）內(nèi)的應(yīng)力，是各個(gè)晶粒數(shù)值不等的內(nèi)應(yīng)力在很多晶粒范圍內(nèi)的平均值,。衍射譜線的位移,。

        第||類內(nèi)應(yīng)力稱為微觀應(yīng)力。是在較小材料其余范圍內(nèi)（一個(gè)晶?；蚓Я?nèi)）的應(yīng)力：既可能造成衍射譜線的寬化,，也可能造成衍射譜線的位移。

        第|||類內(nèi)應(yīng)力稱為晶格畸變應(yīng)力或者超微觀應(yīng)力,。存在于極小區(qū)域范圍內(nèi)（幾個(gè)原子間距內(nèi)）,。帶來(lái)衍射譜線強(qiáng)度的降低。

?第|類內(nèi)應(yīng)力稱為Macrostress,，第||類內(nèi)應(yīng)力和第|||類內(nèi)應(yīng)力稱為Microstress,。

        Macrostress可通過(guò)X射線衍射方法根據(jù)衍射峰位置的移動(dòng)測(cè)得。Microstress可根據(jù)峰寬和峰強(qiáng)的變化通過(guò)TOPAS軟件擬合得到,。

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殘余應(yīng)力的測(cè)試方法及其假設(shè)

通常的測(cè)試的是第|類內(nèi)應(yīng)力即殘余應(yīng)力,。測(cè)試時(shí)以及后續(xù)的分析都需要滿足下面的條件：

       1、X射線光斑覆蓋多個(gè)晶粒

       2,、外加樣品形變與晶格變化相一致

       3,、X射線照射的薄層處于平面應(yīng)力狀態(tài)，即沿樣品表面法線方向的應(yīng)力分量為零,。

       波長(zhǎng)的選擇：盡量選擇長(zhǎng)波長(zhǎng)光源（例如Cr靶,，Kα1=0.2289nm）進(jìn)行測(cè)試。因?yàn)殚L(zhǎng)波長(zhǎng)光源透射深度較小，可盡量避免應(yīng)力隨樣品表面深度方向發(fā)生的梯度變化,。而在晶格應(yīng)變一定的情況下,，高角度衍射峰的位移更明顯,，測(cè)試結(jié)果也更準(zhǔn)確,。更為重要的是，樣品的置位誤差對(duì)高角度衍射峰的位置影響比低角度衍射峰小,。

另外,，

      1、粗晶樣品一般選擇短波長(zhǎng),。

      2,、若研究的加工影響層很薄，則應(yīng)該選擇波長(zhǎng)較長(zhǎng)的X射線,。

衍射峰的選擇：盡量選擇高角度（2?>90?）多重性因子較高的衍射峰進(jìn)行應(yīng)力的測(cè)試,。

根據(jù)殘余應(yīng)力測(cè)試的歐洲標(biāo)準(zhǔn)，常見(jiàn)材料應(yīng)力測(cè)試所使用的光源和衍射峰如下：

    測(cè)試時(shí)間：建議峰的強(qiáng)度在1000個(gè)點(diǎn)數(shù)以上,。測(cè)試應(yīng)力的誤差跟測(cè)試時(shí)的半高寬和峰的強(qiáng)度都有關(guān)系,。峰強(qiáng)越高，誤差越小,。

塊體測(cè)試的測(cè)傾法及結(jié)果：測(cè)傾法是目前采用較多的測(cè)試應(yīng)力的方法。跟其優(yōu)點(diǎn)如下：

      1、不需要吸收矯正

      2,、可使用較低衍射角測(cè)試應(yīng)力

      3,、可擴(kuò)大ψ角的設(shè)置范圍，提高測(cè)試的準(zhǔn)確性

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      如圖1所示：ε_ΨΦ與sin²_Ψ成線性關(guān)系,，斜率即是應(yīng)力,。圖2的情況是因?yàn)槌霈F(xiàn)了切向力。圖4是由于材料中出現(xiàn)了織構(gòu),。

      薄膜測(cè)試的掠入射方法及配置：當(dāng)材料近表層存在陡峭應(yīng)力梯度時(shí)會(huì)出現(xiàn)圖3所示的情況,。可采用薄膜應(yīng)力的測(cè)試方法,，即掠入射的方法進(jìn)行,。

      從圖5可以看出，介于140-145度之間的衍射峰隨著入射角度的改變而移動(dòng),，說(shuō)明樣品表層應(yīng)力梯度的存在,。使用Leptos軟件可以得到類似下圖的應(yīng)力隨深度的變化圖：

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殘余應(yīng)力的釋放

      殘余應(yīng)力的釋放存在內(nèi)在驅(qū)動(dòng)力。驅(qū)動(dòng)力來(lái)源于有殘余應(yīng)力存在的材料都偏離了低能量穩(wěn)定態(tài),。熱力學(xué)上高能量的組織狀態(tài)總將趨向于低能量的平衡態(tài),。無(wú)外載的情況下室溫長(zhǎng)期保存后機(jī)件的殘余應(yīng)力基本沒(méi)有變化。

      1、殘余應(yīng)力隨溫度的升高而不斷降低,。金屬材料的加熱溫度超過(guò)再結(jié)晶溫度時(shí),，殘余應(yīng)力*松弛。

      2,、靜載荷或者循環(huán)載荷均可造成殘余應(yīng)力的松弛,。