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目錄:北京精科智創(chuàng)科技發(fā)展有限公司>>半導(dǎo)體材料測(cè)試儀>>晶圓均勻加熱裝置>> WSHD-600型晶圓均勻加熱裝置

WSHD-600型晶圓均勻加熱裝置
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參考價(jià) 面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
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  • 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)商
  • 所在地 北京市
屬性

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更新時(shí)間:2025-02-12 14:59:48瀏覽次數(shù):1428評(píng)價(jià)

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晶圓是指硅半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅晶片,,其形狀為圓形;晶圓高溫測(cè)試是集成電路行業(yè)一道重要制程,,通過(guò)嚴(yán)格的高溫測(cè)試可以預(yù)先剔除不良芯片,,降低后續(xù)高昂的封裝成本,。WSHD-600型晶圓均勻加熱裝置是一種特殊設(shè)計(jì)的均勻加熱裝置。為保證晶圓高溫測(cè)試精度,,要求整個(gè)吸盤(pán)表面各點(diǎn)的溫度控制在設(shè)定溫度±1℃的范圍內(nèi),,最大可以達(dá)到±0.03℃,是目前研究晶圓半導(dǎo)體重要輔助工具,。

WSHD-600型晶圓均勻加熱裝置

關(guān)鍵詞:晶圓,,均勻,6寸


晶圓是指硅半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅晶片,,其形狀為圓形,;晶圓高溫測(cè)試是集成電路行業(yè)一道重要制程,通過(guò)嚴(yán)格的高溫測(cè)試可以預(yù)先剔除不良芯片,,降低后續(xù)高昂的封裝成本,。WSHD-600型晶圓均勻加熱裝置是一種特殊設(shè)計(jì)的均勻加熱裝置。為保證晶圓高溫測(cè)試精度,,要求整個(gè)吸盤(pán)表面各點(diǎn)的溫度控制在設(shè)定溫度±1℃的范圍內(nèi),,最大可以達(dá)到±0.03℃,是目前研究晶圓半導(dǎo)體重要輔助工具,。

主要技術(shù)參數(shù);

1,、溫度:室溫-200℃,650℃,,1000℃,,

2、加熱速率:40/min,

3,、加熱臺(tái)尺寸:6寸,,8寸,12寸等可以定制

4,、控溫精度:±

5,、加熱溫度均勻度允許誤差:±1 

6、加熱臺(tái)需可抗壓:100KN

7,、可配合各種電學(xué)測(cè)試設(shè)備進(jìn)行電學(xué)數(shù)據(jù)功能采集

8、表面處理:鍍膜,鍍金或是黑礬石

9,、熱臺(tái)材質(zhì):不銹鋼或銅

10,、可以配合各種電學(xué)測(cè)試系統(tǒng)及探針測(cè)試



               6寸晶圓在不同溫度下均勻性



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